[发明专利]表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：

具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、

螯合剂、和

水，

所述式(1)中，R¹为碳数1～5的烃基，R²为氢原子或碳数1～3的烃基，

所述螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述螯合剂中，所述膦酸基和所述羧酸基的基团数的总计为2以上。

3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其pH为5以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理组合物，其pH为3以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理组合物，其还含有离子性分散剂。

6.根据权利要求5所述的表面处理组合物，其中，所述离子性分散剂为具有磺酸(盐)基的高分子化合物。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的表面处理组合物，其实质上不含有磨粒。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述研磨完的研磨对象物包含氧化硅。

9.根据权利要求6所述的表面处理组合物，其中，所述研磨完的研磨对象物包含氮化硅。

10.一种表面处理组合物的制造方法，其包括如下工序：将具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、螯合剂和水进行混合，

所述式(1)中，R¹为碳数1～5的烃基，R²为氢原子或碳数1～3的烃基，

所述螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。

11.一种表面处理方法，其用权利要求1～9中任一项所述的表面处理组合物对研磨完的研磨对象物进行表面处理，减少所述研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣。

12.根据权利要求11所述的表面处理方法，其中，所述表面处理包括冲洗研磨或清洗。

13.一种半导体基板的制造方法，其包括如下表面处理工序：通过权利要求11或12所述的表面处理方法，减少研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣，

所述研磨完的研磨对象物为研磨过的半导体基板。