[发明专利]熔断开关、熔断控制结构以及熔断系统在审
| 申请号： | 202110888236.3 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113540024A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林庭佑 | 申请（专利权）人： | 深圳奥简科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔断 开关 控制 结构 以及 系统 | ||
1.一种熔断开关，其特征在于，包括顶层导体层、底层导体层、至少一层中间导体层以及多个导体线；
各层所述中间导体层均夹设于所述顶层导体层和所述底层导体层之间；与所述顶层导体层最近邻的所述中间导体层与所述顶层导体层之间形成有间隙；与所述底层导体层最近邻的所述中间导体层与所述底层导体层之间形成有间隙；
所述中间导体层上开设有通槽；当所述中间导体层的层数为两层以上时，所述中间导体层之间形成有间隙；
各所述间隙内设置有至少一个所述导体线，所述导体线用于连通所述间隙两侧的导体层。
2.根据权利要求1所述的熔断开关，其特征在于，还包括钝化层；
所述钝化层设于所述顶层导体层上远离所述底层导体层的一侧端；所述钝化层上开设有贯通至所述顶层导体层的测试窗口。
3.根据权利要求2所述的熔断开关，其特征在于，所述测试窗口为方形测试窗口或圆形测试窗口。
4.根据权利要求2所述的熔断开关，其特征在于，所述测试窗口为面积大于或等于2平方微米的窗口。
5.根据权利要求1所述的熔断开关，其特征在于，各层所述中间导体层上开设的通槽为环形通槽。
6.根据权利要求5所述的熔断开关，其特征在于，与所述底层导体层最近邻的所述中间导体层与所述底层导体层之间的所述间隙内的至少一个所述导体线的一端连接在所述环形通槽围成的区域内，另一端连接在所述底层导体层上。
7.根据权利要求1所述的熔断开关，其特征在于，所述顶层导体层为面积大于10平方微米的导体层。
8.一种熔断控制结构，其特征在于，包括半导体控制元件以及权利要求1至10任意一项所述的熔断开关；
所述底层导体层连接所述半导体控制元件的发射极层。
9.根据权利要求8所述的熔断控制结构，其特征在于，所述半导体控制元件为MOS元件、BJT元件或DIODE元件。
10.一种熔断系统，其特征在于，包括N个权利要求8或9所述的熔断控制结构；还包括公共管脚以及N个独立管脚；
利用第一类布线将各所述半导体控制元件的集电区层与所述公共管脚电连接；
分别利用第二类布线将各所述顶层导体层与对应的所述独立管脚电连接。
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