[发明专利]布线结构、其制造方法以及具有其的集成电路芯片

权利要求书

1.一种布线结构，包括：

填充金属；

在所述填充金属上的包括钴(Co)的覆盖金属，所述覆盖金属具有：

沿着所述填充金属的侧表面和沿着所述填充金属的下表面的第一部分，和

沿着所述填充金属的上表面的第二部分；

阻挡金属，在所述覆盖金属的所述第一部分的外表面上；以及

封盖金属，在所述覆盖金属的所述第二部分的外表面上，所述封盖金属包括钴(Co)合金，

其中所述填充金属具有比所述覆盖金属和所述阻挡金属高的传导率。

2.如权利要求1所述的布线结构，其中所述填充金属包括铜(Cu)。

3.如权利要求2所述的布线结构，其中所述覆盖金属由钴(Co)组成。

4.如权利要求1所述的布线结构，其中所述钴(Co)合金包括金(Au)、银(Ag)、钨(W)、铅(Pb)和磷(P)中的至少一种以及钴(Co)。

5.如权利要求1所述的布线结构，还包括在所述封盖金属的外表面上的顶部金属，所述顶部金属包括锰(Mn)。

6.如权利要求1所述的布线结构，其中：

所述覆盖金属直接在所述填充金属上；以及

所述阻挡金属直接在所述覆盖金属的所述第一部分上。

7.如权利要求6所述的布线结构，其中所述覆盖金属和所述阻挡金属中的每个不包括锰(Mn)。

8.如权利要求1所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第二部分完全覆盖所述填充金属的所述上表面。

9.如权利要求8所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第二部分的边缘在所述阻挡金属的最上表面上。

10.如权利要求1所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第一部分具有5nm或更小的厚度。

11.如权利要求10所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第二部分比所述覆盖金属的所述第一部分厚。

12.如权利要求1所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第一部分和所述第二部分的氧含量彼此相等。

13.如权利要求1所述的布线结构，其中所述覆盖金属的所述第二部分的上表面是平坦的或凸起的。

14.一种集成电路芯片，包括：

基板；

在所述基板的第一表面上的前道工序(FEOL)结构，所述FEOL结构包括晶体管；以及

在所述FEOL结构上的后道工序(BEOL)结构，所述BEOL结构包括多层布线结构和使所述多层布线结构的一部分绝缘的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括多个子绝缘膜，

其中所述多层布线结构的一个布线结构在沟槽中，所述沟槽在所述层间绝缘膜的所述多个子绝缘膜中的一个子绝缘膜中，所述一个布线结构包括：

在所述沟槽中的填充金属，所述填充金属包括铜(Cu)，

在所述填充金属上的包括钴(Co)的覆盖金属，所述覆盖金属具有沿着所述填充金属的侧表面和沿着所述填充金属的下表面的第一部分、以及沿着所述填充金属的上表面的第二部分，

阻挡金属，在所述覆盖金属的所述第一部分的外表面上，同时直接在所述沟槽上，

封盖金属，在所述覆盖金属的所述第二部分的外表面上，所述封盖金属包括钴(Co)合金，以及

在所述封盖金属上的顶部金属，所述顶部金属包括锰(Mn)。

15.如权利要求14所述的集成电路芯片，其中所述钴(Co)合金是钴-钨-磷(CoWP)合金。