[发明专利]一种存内计算电路及方法和阻变型存储器在审
| 申请号: | 202110881866.8 | 申请日: | 2021-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN115701637A | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
| 发明(设计)人: | 窦春萌;王琳方;叶望;王雪红;刘璟;刘琦;吕杭炳;李泠;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
| 地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 计算 电路 方法 变型 存储器 | ||
1.一种存内计算电路,其特征在于,包括:第一位线至第M位线、第一互补位线至第M互补位线、第一源线至第M源线、第一电压读取电路至第M电压读取电路和第一字线至第N字线,M和N均为大于0的整数;
位于第i位线和第i互补位线之间连接有第一存储单元至第N存储单元,第j存储单元包括第一阻变器、第二阻变器、第一晶体管和第二晶体管,所述第一阻变器的第一端与第i位线相连,所述第一阻变器的第二端与第一晶体管的第一端相连,所述第一晶体管的第二端与第i源线相连,所述第一晶体管的栅极与第j字线相连;所述第二阻变器的第一端与第i互补位线相连,所述第二阻变器的第二端与第二晶体管的第一端相连,所述第二晶体管的第二端与所述第i源线相连,所述第二晶体管的栅极与所述第j字线相连,i为小于或等于M的正整数,j为小于或等于N的正整数;
以及,第i源线与第i电压读取电路相连;其中,所述第i位线接入第一电压信号,所述第i互补位线接入第二电压信号,且所述第i源线接入第三电压信号。
2.根据权利要求1所述的存内计算电路,其特征在于,所述第一电压信号为高电平信号,且电压值为Vh。
3.根据权利要求2所述的存内计算电路,其特征在于,所述第二电压信号为低电平信号,且电压值为Vl。
4.根据权利要求3所述的存内计算电路,其特征在于,所述第三电压信号的电压值为VMID=(Vh+Vl)/2。
5.根据权利要求1所述的存内计算电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管。
6.根据权利要求1所述的存内计算电路,其特征在于,所述第i电压读取电路为第i模数转换器。
7.一种存内计算方法,其特征在于,采用权利要求1-6任意一项所述的存内计算电路,方法包括:
对所述第i位线、第i互补位线和第i源线进行预充电,其中,所述第i位线接入第一电压信号,所述第i互补位线接入第二电压信号,且所述第i源线接入第三电压信号。
8.根据权利要求7所述的存内计算方法,其特征在于,在所述预充电后包括:
根据输入数据选择所述第一字线至第N字线中预设的多个字线开启,所述第i电压读取电路读取所述第i源线的瞬态电压变化量。
9.一种阻变型存储器,其特征在于,所述阻变型存储器包括权利要求1-6任意一项所述的存内计算电路。
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