[发明专利]具有增大的接头临界尺寸的三维存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器器件，所述3D存储器器件包括：

衬底；

存储器堆叠，其包括在所述衬底上的多个交替的导体层和电介质层；以及

存储器串，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，并且包括沿着所述存储器串的侧壁的存储器膜，

其中，所述存储器堆叠包括由接头氧化物层分开的上部层面和下部层面，所述存储器膜在所述上部层面和所述下部层面中包括被所述电介质层隔开的不连续的电介质材料层，并且在所述上部层面和所述下部层面中的所述不连续的电介质材料层的内侧壁基本上与所述接头氧化物层的内侧壁齐平。

2.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层包括一个或多个部分，并且

其中，至少一个部分位于导体层的凹槽中，并且被相邻近的电介质层和所述导体层的侧面包围。

3.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层是完全不连续的。

4.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层是部分不连续的。

5.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层的厚度在4纳米和10纳米之间。

6.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述存储器膜还包括存储层和隧穿层。

7.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层和所述电介质层中的至少一者包括氧化硅。

8.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层的内侧壁基本上与所述电介质层的内侧壁齐平。

9.一种三维(3D)存储器器件，所述3D存储器器件包括：

衬底；

存储器堆叠，其包括在所述衬底上的多个交替的导体层和电介质层；以及

存储器串，其垂直地延伸穿过所述存储器堆叠，并且包括沿着所述存储器串的侧壁的存储器膜，

其中，所述存储器堆叠包括由接头氧化物层分开的上部层面和下部层面，所述存储器膜在所述上部层面和所述下部层面中包括被所述电介质层隔开的不连续的电介质材料层，

其中，所述不连续的电介质材料层包括多个部分，并且

其中，所述不连续的电介质材料层的所述多个部分中的任何相邻部分都不接触，

其中，所述不连续的电介质材料层的内侧壁基本上与所述接头氧化物层的内侧壁齐平。

10.根据权利要求9所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层的厚度在4纳米和10纳米之间。

11.根据权利要求9或10所述的3D存储器器件，其中，所述存储器膜还包括存储层和隧穿层。

12.根据权利要求9或10所述的3D存储器器件，其中，所述不连续的电介质材料层和所述电介质层中的至少一者包括氧化硅。

13.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成包括交替的牺牲层和电介质层的电介质层面；

形成垂直地延伸穿过所述电介质层面的开口；

对紧靠所述开口的侧壁的、所述牺牲层的侧面进行蚀刻；

在所述牺牲层被蚀刻的位置处形成不连续的电介质材料层；以及

随后在所述不连续的电介质材料层和所述不连续的电介质材料层之间的所述电介质层上形成存储层、隧穿层和半导体通道。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

通过用导体层替换在所述电介质层面中的所述牺牲层，来形成包括交替的导体层和所述电介质层的存储器堆叠。