[发明专利]一种基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法在审
| 申请号： | 202110879117.1 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113457464A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 唐晓旻;向靖 | 申请（专利权）人： | 重庆工商大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D69/02;B01D71/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400067 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共插层 精确 调控 间距 mxene 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法，其特征在于，先将一定体积和浓度的MXene纳米片溶液超声分散均匀，再将MXene纳米片溶液真空抽滤到PDA / Nylon6基材上即得MXene膜，然后将MXene膜在浓度为0.1~1.0mol/L的氢氧化钠和0.1~1.0mol/L的丁二酸的混合溶液中浸泡0.5~1h，最后将MXene膜在70~80℃真空烘箱中加热1~2h，即得基于共插层精确调控层间距的MXene膜。
2.根据权利要求1所述的基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法，其特征在于，MXene纳米片溶液的体积为100~200ml，浓度为0.01~0.02mg/ml。
3.根据权利要求1所述的基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法，其特征在于，超声分散的条件是氩气气氛下冰浴，在功率为160~250W下超声10~30min。
4.根据权利要求1所述的基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法，其特征在于，PDA涂覆的PES基材是指将Nylon6基材浸入到浓度为1~2g/L的多巴胺水溶液中，然后在室温下、振荡器中处理12~24h。
5.根据权利要求1所述的基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法，其特征在于，真空烘箱的真空度为-0.085~-0.1Mpa。
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