[发明专利]一种组合物、剥离液及其在剥离光刻胶或光刻胶残余物中的应用和剥离方法

说明书

本发明公开了一种组合物、及其剥离液和在其在剥离光刻胶或光刻胶残余物中的应用和剥离方法，组合物包含水溶性非质子极性有机溶剂、有机胺化合物、缓蚀剂、二醇醚化合物和润湿剂；缓蚀剂含有式I所示化合物中的至少一种和式II所示化合物中的至少一种；R₁、R₂独立地选自有机供电子基团、H中的任一种；R₁与R₂不同时为H；R₃、R₄独立地选自有机吸电子基团、H中的任一种；R₃与R₄不同时为H；有机供电子基团选自苯基、羟基、氨基、甲氧基或C_1‑5烷基；所述有机吸电子基团选自乙酰基、乙酰胺基、氰基、C_1‑3羧基、C_1‑3羧酸酯基或硝基。剥离液在有效去除光刻胶的基础上，对金属电极特别是Cu有很好的保护效果，能够抑制其氧化和腐蚀。

技术领域

本发明涉及一种用在半导体制造工艺中的一种组合物，及具有金属保护功能的剥离液及其在剥离光刻胶或光刻胶残余物中的应用和剥离方法，属于精细化工技术领域。

背景技术

在制造半导体器件时，为了增加剥离能力，剥离液中有机碱的含量逐渐增多，会对基材和金属布线存在较严重的腐蚀，影响到产品的良率，其中铜的耐化学药品性也差，因此，清洗工序中剥离光刻胶膜时，通过暴露于光刻胶剥离液，很容易被氧化或腐蚀。铜电极的这种氧化或腐蚀导致整个布线的电阻增加，并且降低了作为低电阻布线的优点。为了防止上述腐蚀，可以寻找诸如稀释光刻胶剥离液或缩短曝光时间的方法。然而，这种方法会降低光刻胶剥离剂的光刻胶剥离能力，从而留下光刻胶膜，这降低了布线的可靠性。因此，需要具有优异的剥离能力同时抑制铜电极的氧化和腐蚀的光刻胶剥离剂组合物。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种具有优异的剥离能力的光刻胶剥离组合物，该光刻胶剥离组合物能有效的去除光刻胶的基础上，并且对金属电极特别是Cu有很好的保护效果，能够抑制其氧化和腐蚀。

本发明一方面提供一种组合物，包含：水溶性非质子极性有机溶剂、有机胺化合物、缓蚀剂、二醇醚化合物、润湿剂；

所述缓蚀剂含有式I所示化合物中的至少一种和式II所示化合物中的至少一种；

R₁、R₂独立地选自有机供电子基团、H中的任一种；R₁与R₂不同时为H；

R₃、R₄独立地选自有机吸电子基团、H中的任一种；R₃与R₄不同时为H；

所述有机供电子基团选自苯基、羟基、氨基、甲氧基或C_1-5烷基；所述有机吸电子基团选自乙酰基、乙酰胺基、氰基、C_1-3羧基、C_1-3羧酸酯基或硝基。

优选地，式I所示化合物与式II所示化合物的重量比为1:1～10:1。

优选地，式I所示的化合物选自4-羟基-1H-苯并三氮唑、5-羟基-1H-苯并三氮唑、5-甲基苯并三氮唑、5-乙基苯并三氮唑、5-丙基苯并三氮唑、5-丁基苯并三氮唑、5,6-二甲基苯并三唑、1-羟基苯并三唑、1-甲基苯并三唑、1-氨基苯并三唑、1-苯基苯并三唑、1-羟甲基的苯并三唑、1-甲氧基-苯并三唑中的至少一种；

式II所示的化合物选自5-羧基苯并三氮唑、1H-1,2,3-苯并三氮唑-5-甲腈、2-(苯并三氮唑-1-基)乙酰胺、1-甲基-1H-1,2,3-苯并三氮唑-5-羧酸乙酯、1-氰基苯并三氮唑、1H-苯并三唑-1-乙腈、1H-苯并三氮唑-7-羧酸、2-(1-苯并三氮唑)乙酸或5-硝基苯并三唑中的至少一种。