[发明专利]一种温度控制系统及方法、装置、存储介质

说明书

本申请实施例提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质，其中，所述方法包括：获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种温度控制系统及方法、装置、存储介质。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，集成电路器件的特征尺寸不断缩小，为了制造出高品质的集成电路器件，对集成电路的制造工艺及工艺结果要求越来越严苛，因为每一道工艺的处理结果都有可能影响集成电路器件的特性、品质以及使用寿命。

在半导体领域，晶圆是制造集成电路的基础材料，在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构。通常，晶圆被传输至工艺腔体，工艺腔中的气压和温度对晶圆生产有很大的影响，温度过高或过低，都会生成副产物掉落到晶圆上，影响晶圆的品质，降低晶圆的良率。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质。

本发明的技术方案是这样实现的：

一方面，本申请实施例提供一种温度控制方法，所述方法包括：

获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；

对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；

基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。

另一方面，本申请实施例提供一种温度控制装置，应用于半导体机台中，所述装置包括：

获取模块，用于获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；

温度比较模块，用于对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；

调节模块，用于根据所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。

再一方面，本申请实施例提供一种温度控制系统，应用于半导体机台中，所述系统包括：

温度感应组件，控制组件以及排气调节组件；其中，

所述温度感应组件，设置于所述半导体机台的工艺腔室的反应窗口上，用于对所述反应窗口的温度进行感应；

所述控制组件，与所述温度感应组件连接，用于：从所述温度感应组件获取所述反应窗口的当前温度；对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；基于所述比较结果，控制所述排气调节组件调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度；

所述排气调节组件，设置于所述工艺腔室的排气通道上，与所述控制组件连接，用于控制所述排气通道的排气量。

又一方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述方法中的步骤。

本申请实施例中，基于工艺腔室中的反应窗口的温度变化调整工艺腔室的排气通道的排气量，从而控制反应窗口温度，能够有效稳定反应窗口的温度，有利于提高工艺进程的稳定性和均匀性。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；

图2为本申请另一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；

图3A为本申请另一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；

图3B为本申请又一实施例提供的一种温度控制方法的实现流程示意图；