[发明专利]一种温度控制系统及方法、装置、存储介质

权利要求书

1.一种温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：

获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；

对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；

基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺腔室的排气通道具有排气阀；

所述基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，包括：

基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设温度包括第一预设温度；

所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，包括：对所述当前温度与所述第一预设温度进行比较，得到比较结果；

所述基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度大于所述第一预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设温度还包括第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；

所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，还包括：对所述当前温度与所述第二预设温度进行比较，得到比较结果；

所述在所述当前温度大于所述第一预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度大于所述第二预设温度的情况下，增大所述排气阀的开度至全开。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为120摄氏度，所述第二预设温度为125摄氏度。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述比较结果，调节所述排气阀的开度，包括：

在所述当前温度小于所述第一预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设温度还包括第三预设温度，所述第三预设温度小于所述第一预设温度；

所述对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果，还包括：对所述当前温度与所述第三预设温度进行比较，得到比较结果；

所述在所述当前温度小于所述第一预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度，包括：在所述当前温度小于所述第三预设温度的情况下，减小所述排气阀的开度至全闭。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三预设温度为115摄氏度。

9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述半导体机台中反应窗口的加热组件的工作状态；

所述获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度，包括：在所述加热组件的工作状态为开启的情况下，获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述加热组件的工作状态为关闭的情况下，减小所述排气阀的开度至全闭。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基于所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度，包括：基于所述比较结果，对所述工艺腔室的排气通道的排气量以及所述加热组件的输出功率进行调节，以控制所述反应窗口的温度。

12.一种温度控制装置，其特征在于，应用于半导体机台中，所述装置包括：

获取模块，用于获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度；

温度比较模块，用于对所述当前温度与预设温度进行比较，得到比较结果；

调节模块，用于根据所述比较结果，调节所述工艺腔室的排气通道的排气量，以控制所述反应窗口的温度。