[发明专利]OLED基板及其制备方法和显示装置在审
| 申请号: | 202110868960.X | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113594219A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 郝艳军;屈财玉;沈阔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 贾慧娜;郗名悦 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED基板,制备该OLED基板的方法,和包含其的显示装置。其中,该OLED基板包括:衬底基板和依次形成在所述衬底基板上的第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极;所述像素界定层包括多个子像素界定单元,每个子像素界定单元背离衬底基板的表面上形成有金属层和覆盖金属层的绝缘层。OLED基板通过具有特殊的像素界定层结构,可以减弱像素间的低灰阶串扰现象。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED基板,制备该基板的方法,以及包括其的显示装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)作为一种新型的平板显示技术逐渐受到更多的关注。由于OLED具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,成为有可能代替液晶显示的下一代显示技术。
在目前大多数的OLED器件结构中,常用的红色、绿色和蓝色(RGB)发光单元结构都共用空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)和空穴传输层(Hole Transfer Layer,HTL)。通常,如图1所示,RGB三色像素的启亮电压,B(蓝色像素)的电压最大,G(绿色像素)的电压以及R(红色像素)的电压较小。在给其中一种颜色的单元器件施加启亮电压时,由于空穴注入层HIL载流子迁移率大,当在蓝色有机发光材料B的两端施加较大电压时,大部分电流Ib会流向蓝色有机发光材料B,点亮蓝色像素;但是还有部分电流Ig和Ir会通过空穴注入层HIL分别流向绿色有机发光材料G和红色有机发光材料R,如图3所示,箭头方向表示空穴传输方向,由此绿色像素和红色像素也将被点亮,最终会导致低灰阶串扰(crosstalk),图2示出了分别只点亮R、G、B子像素时的低灰阶点灯结果图片。
发明内容
为了解决上述低灰阶子像素间的串扰问题,本发明提供一种OLED基板,通过设置具有金属层的像素界定层,阻止空穴的横向流动,从而改善低灰阶串扰现象。
根据本发明的一个方面,提供一种OLED基板,包括:衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极。
其中,在所述像素界定层的背离所述衬底基板的表面上设置有金属层和覆盖所述金属层的绝缘层;并且
所述金属层和绝缘层位于所述有机发光层靠近衬底基板的一侧,且所述金属层用于被施加电压,以至少部分地阻断所述有机发光层中载流子的流动。
根据一个具体实施方式,在相邻的两个像素之间的像素界定层表面设置有一个金属层或互相分隔开且平行的多个金属层。
根据一个具体实施方式,所述金属层与设置在所述衬底基板的周边区域的电源连接。
根据一个具体实施方式,所述金属层连接构成金属走线,且所述金属走线形成多个封闭图形。
根据一个具体实施方式,每个封闭图形包围一个蓝色像素。
根据一个具体实施方式,所述金属层由电阻率为2-20μΩ·cm的金属材料形成。优选地,所述金属层由选自钼、铝、铜、钛、钨的金属和它们的合金材料中的一种或多种形成。
优选地,所述金属层的厚度为100-500nm。
根据一个具体实施方式,所述金属层的宽度大于或等于3μm且不大于所在像素界定层表面的宽度。
根据一个具体实施方式,所述绝缘层由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。
根据一个具体实施方式,所述有机绝缘材料选自聚酰亚胺、环氧树脂、聚丙烯酸类树酯和酚醛树脂中的一种或多种,所述无机绝缘材料选自氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
根据本发明的另一方面,提供一种显示装置,包括上述OLED基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





