[发明专利]OLED基板及其制备方法和显示装置在审
| 申请号: | 202110868960.X | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113594219A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 郝艳军;屈财玉;沈阔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 贾慧娜;郗名悦 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED基板,其特征在于,包括:衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极;
其中,在所述像素界定层的背离所述衬底基板的表面上设置有金属层和覆盖所述金属层的绝缘层;并且
所述金属层和绝缘层位于所述有机发光层靠近衬底基板的一侧,且所述金属层用于被施加电压,以至少部分地阻断所述有机发光层中载流子的流动。
2.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,在相邻的两个像素之间的像素界定层表面设置有一个金属层或互相分隔开且平行的多个金属层。
3.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层与设置在所述衬底基板的周边区域的电源连接。
4.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层连接构成金属走线,且所述金属走线形成多个封闭图形。
5.根据权利要求4所述的OLED基板,其特征在于,每个封闭图形包围一个蓝色像素。
6.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层由电阻率为2-20μΩ·cm的金属材料形成。
7.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层由选自钼、铝、铜、钛、钨的金属和它们的合金材料中的一种或多种形成。
8.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层的厚度为100-500nm。
9.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述金属层的宽度大于或等于3μm且不大于所在像素界定层表面的宽度。
10.根据权利要求1或2所述的OLED基板,其特征在于,所述绝缘层由选自有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。
11.根据权利要求1所述的OLED基板,其特征在于,所述有机绝缘材料选自聚酰亚胺、环氧树脂、聚丙烯酸类树酯和酚醛树脂中的一种或多种,所述无机绝缘材料选自氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
12.一种显示装置,包括根据权利要求1至11中任一项所述的OLED基板。
13.一种制备OLED基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底基板上依次形成第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极;
所述像素界定层包括多个子像素界定单元,每个所述子像素界定单元上设置金属层和覆盖所述金属层的绝缘层。
14.根据权利要求13所述的制备OLED基板的方法,其特征在于,所述金属层的线宽在3μm以上,并且所述金属层在所述衬底基板上的正投影在所在像素界定层的正投影范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





