[发明专利]一种玻璃基底双面图形制备方法

说明书

本发明公开了一种玻璃基底双面图形制备方法，S1，在玻璃基底第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜上的对位标识设置在靠近玻璃基底边沿区域内；S2，在玻璃基底第二面上涂覆第二面薄膜，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。能够通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且精度高于双面曝光机制备出产品的精度。

技术领域

本发明属于光学镜头制作领域，涉及一种玻璃基底双面图形制备方法。

背景技术

双面光刻是针对硅及其它半导体基底发展起来的加工技术，旨在基底两面制作光刻图样并且实现映射对准曝光，一般的此种工艺制作都由双面曝光机完成，传统的单面曝光机无法完成；目前国内外有成套的大型双面曝光装置，但其价格昂贵，且对位精度远低于传统的单面曝光机。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种玻璃基底双面图形制备方法，能够通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且精度高于双面曝光机制备出产品的精度。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种玻璃基底双面图形制备方法，包括以下步骤；

S1，在玻璃基底第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜上的对位标识设置在靠近玻璃基底边沿区域内；

S2，在玻璃基底第二面上涂覆第二面薄膜，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。

优选的，对位标识设置在距离玻璃基底边沿8-12mm区域内。

优选的，薄膜采用黑胶制成。

优选的，去边时，采用PGMEA或EGMEA去边溶剂对需要去边的区域进行喷涂。

优选的，玻璃基底第一面和第二面在涂覆黑胶后，均进行85～120℃下30～120s的软烤。

优选的，玻璃基底第一面和第二面在曝光时，均通过掩膜版进行曝光。

进一步，将对准标记多个位置进行定位，计算出曝光时的玻璃基底移动的准确位置，将掩膜版和玻璃基底对准。

优选的，玻璃基底第一面和第二面在显影时，进行烘烤PEB，温度为90～100℃，时间为60～120s。

优选的，玻璃基底的厚度为70～210um，第一面薄膜和第二面薄膜薄膜的厚度均为0.8～2um。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明通过将玻璃基底先制备薄膜的一面，在靠近玻璃基底边沿区域内设置对位标识，再进行第二面曝光时，将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，达到定位的效果，从而使两面的图形定位一致，保证了双面图形的制备效果，实现了通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且由于传统的单面曝光机精度高于双面曝光机，因此本方法制备出的产品精度高于双面曝光机制备出产品的精度。

进一步，软烤目的是为了将基底上覆盖的光刻胶溶剂去除，增强光刻胶的粘附性，同时缓和在旋转过程中光刻胶胶膜内产生的应力，改善均匀性、抗蚀性、线宽控制，进一步优化光刻胶的光吸收特性。

进一步，PEB的目的为降低或消除驻波效应，激发光刻胶的PAG(光敏产酸剂)产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除，使之能溶解于显影液。

附图说明

图1为本发明的双面图形结构截面图；

图2为本发明的去边工艺示意图。