[发明专利]一种玻璃基底双面图形制备方法

权利要求书

1.一种玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

S1，在玻璃基底(1)第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜(2)上的对位标识设置在靠近玻璃基底(1)边沿区域内；

S2，在玻璃基底(1)第二面上涂覆第二面薄膜(3)，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。

2.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，对位标识设置在距离玻璃基底(1)边沿8-12mm区域内。

3.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，薄膜采用黑胶制成。

4.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，去边时，采用PGMEA或EGMEA去边溶剂对需要去边的区域进行喷涂。

5.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在涂覆黑胶后，均进行85～120℃下30～120s的软烤。

6.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在曝光时，均通过掩膜版进行曝光。

7.根据权利要求6所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，将对准标记多个位置进行定位，计算出曝光时的玻璃基底(1)移动的准确位置，将掩膜版和玻璃基底(1)对准。

8.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在显影时，进行烘烤PEB，温度为90～100℃，时间为60～120s。

9.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)的厚度为70～210um，第一面薄膜(2)和第二面薄膜(3)薄膜的厚度均为0.8～2um。