[发明专利]一种金属化陶瓷板及其制备方法在审
| 申请号: | 202110865759.6 | 申请日: | 2021-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN113716978A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 林方婷;赵安;张凯;胡含 | 申请(专利权)人: | 富士新材(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | C04B41/90 | 分类号: | C04B41/90;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属化陶瓷板,其特征在于,包括:
陶瓷基板;
金属导电层,设置在所述陶瓷基板的一侧,用于实现所述金属化陶瓷板的导电性。
2.根据权利要求1所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述金属化陶瓷板进一步包括:连接层,设置在所述陶瓷基板与所述金属导电层之间,用于将所述陶瓷基板与所述金属导电层进行固定。
3.根据权利要求2所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述连接层为Al2O3膜层。
4.根据权利要求1所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述金属化陶瓷板进一步包括:第一保护层,设置在所述金属导电层背离所述陶瓷基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述金属化陶瓷板进一步包括:第二保护层,设置在所述第一保护层背离所述金属导电层的一侧。
6.根据权利要求5所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述金属导电层为Cu膜层,所述第一保护层为Ni膜层,所述第二保护层为NiNx膜层,其中,所述x的范围为0.5-1.0。
7.根据权利要求6所述的金属化陶瓷板,其特征在于,所述连接层的厚度范围为20-100nm,所述金属导电层的厚度范围为300-3000nm,所述第一保护层的厚度范围为20-500nm,所述第二保护层的厚度范围为50-100nm。
8.根据权利要求4所述的陶瓷板,其特征在于,所述金属导电层为CuNi膜层,所述第一保护层为NiOx膜层,其中,所述x的范围为0.2-0.5。
9.根据权利要求8所述的陶瓷板,其特征在于,所述连接层的厚度范围为20-100nm,所述金属导电层的厚度范围为300-3000nm,所述第一保护层的厚度范围为20-500nm。
10.一种金属化陶瓷板的制备方法,其特征在于,所述金属化陶瓷板的制备方法包括:
提供陶瓷基板;
采用磁控溅射方式在所述陶瓷基板的一侧表面上形成连接层;
采用磁控溅射方式在所述连接层背离所述陶瓷基板的一侧表面上形成金属导电层;
采用磁控溅射方式在所述金属导电层背离所述连接层的一侧表面上形成保护层。
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