[发明专利]MOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 202110862257.8 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611609A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧，所述栅氧上形成有栅极；
进行SD注入，在所述栅极和衬底中注入杂质，在所述栅极两侧的衬底中分别形成第一重掺杂区和第二重掺杂区；
进行热处理，通过控制所述热处理的温度和/或时间，使所述栅极中的杂质通过扩散进入所述MOS器件的沟道。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度低于1000摄氏度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热处理的时间小于30秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅氧的厚度小于100埃。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，当所述第一重掺杂区为所述MOS器件的源端时，所述第二重掺杂区为所述MOS器件的漏端；
当所述第一重掺杂区为所述MOS器件的漏端时，所述第二重掺杂区为所述MOS器件的源端。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件，所述杂质包括硼元素。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件，所述杂质包括磷元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
