[发明专利]一种非易失性存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110860442.3 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115701219A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 徐顺强;王浩;郭术明;张楠;龚才;黄勇;李侠 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：
衬底；
浮栅结构，位于所述衬底上，所述浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层；
硅化阻挡层，位于所述衬底上并覆盖所述浮栅结构，所述硅化阻挡层的厚度大于35nm；
孔刻蚀阻挡层，位于所述衬底上并覆盖所述硅化物阻挡层。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于：所述硅化阻挡层的厚度大于100nm。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于：所述硅化阻挡层的厚度选自105nm、110nm、115nm、120nm、125nm及130nm中的一种。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于：所述非易失性存储器包括硅化区域，所述硅化阻挡层围绕于所述硅化区域四周，所述孔刻蚀阻挡层中设有位于所述硅化区域的接触孔，所述接触孔的边界与所述硅化区域四周的所述硅化阻挡层的边界之间的间距大于0.15μm。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于：所述接触孔与所述硅化区域四周的所述硅化阻挡层之间的间距选自0.18μm、0.19μm、0.2μm、0.21μm及0.22μm中的一种。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于：所述硅化阻挡层的材质包括氧化硅，所述孔刻蚀阻挡层的材质包括氮化硅及氮氧化硅中的至少一种。
7.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，形成浮栅结构于所述衬底上，所述浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层；
对所述衬底进行离子注入以形成位于所述浮栅结构两侧的源区与漏区；
形成硅化阻挡层于所述衬底上，所述硅化阻挡层覆盖所述浮栅结构，所述硅化阻挡层的厚度大于35nm；
刻蚀所述硅化阻挡层以暴露硅化区域的所述衬底；
形成金属硅化物层于所述硅化区域；
形成孔刻蚀阻挡层于所述衬底上，所述孔刻蚀阻挡层覆盖所述硅化物阻挡层。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于：所述硅化阻挡层的厚度大于100nm。
9.根据权利要求7所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于：还包括形成接触孔于所述孔刻蚀阻挡层中，所述接触孔的边界与所述硅化区域四周的所述硅化阻挡层的边界之间的间距大于0.15μm。
10.根据权利要求7所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于：所述硅化阻挡层的材质包括氧化硅，所述孔刻蚀阻挡层的材质包括氮化硅及氮氧化硅中的至少一种。
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