[发明专利]一种改善Frit烧结效果的方法在审
申请号: | 202110859465.2 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113707834A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 段海超;叶雁祥;劳泽斌;蔡晓义 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 唐超 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 frit 烧结 效果 方法 | ||
本发明涉及一种改善Frit烧结效果的方法,包括如下步骤:在驱动基板上的相对应的Frit接触区域制备第一无机膜层;在所述第一无机膜层上制备金属层;在所述金属层上加工形成多个不相连的金属单元孔,所述金属单元孔的分布密度沿着Frit中心线向外围方向逐渐减小,从而形成所述金属单元孔的内密外疏的分布方式。
技术领域
本发明属于显示面板生产领域,具体涉及一种改善Frit烧结效果的方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)进行封装的主要目的是将外界水汽和氧气隔绝在有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)面板以外,以保证OLED有机膜的使用寿命。目前应用于AMOLED封装的材料包括Frit(玻璃粉)、TFE(四氟乙烯)、UV胶等。AMOLED产品分为Rigid(硬屏)与Flexible(柔性屏),两种屏幕的最大区别就是封装方式的不同。Rigid(硬屏)的封装方式是封装基板和驱动基板贴合后采用Frit将两块玻璃基板进行密封,而柔性屏采用的是薄膜封装方式。
封装对于Rigid AMOLED产品的可靠性能有很大的影响,Rigid AMOLED采用Frit封装工艺,Frit封装工艺一般包括Frit丝网印刷,Frit高温烧结,封装基板和驱动基板贴合,激光焊接Frit。激光焊接Frit是通过Laser Sealing(激光密封)工艺,使用激光烧结技术,使Frit烧结,以达到将OLED面板与外界空气隔绝的目的。激光焊接Frit作为Frit封装工艺最后一道重要工艺流程,在Frit封装技术中起到决定性作用。
激光焊接Frit所使用的激光类型一般为半导体激光器,半导体激光器产生的激光的光斑大小为800-1000um,激光能量沿光斑中心向外围递减。在激光焊接Frit过程中,操作人员一般把激光的光斑的中心对准Frit线条的中心,然后选择合适的能量将Frit融化,之后Frit迅速冷却从而将两块玻璃基板焊接,两块玻璃基板之间形成一个密闭的空间。
但现有的激光焊接Frit的技术方案存在的技术问题为:一般Frit线条的线宽为300-600um,激光聚焦到Frit上时,处于激光的光斑中心的Frit会吸收更多的激光能量,相反处于激光的光斑的边缘的Frit就会吸收比较少的激光能量,因此无法使Frit线条各部位的烧结效果一致,从而导致可能出现两种情况:1.处于激光的光斑中心的Frit出现气泡,处于激光的光斑的边缘的Frit烧结正常;2.处于激光的光斑中心的Frit烧结正常,处于激光的光斑的边缘的Frit烧结不足。
术语定义
本发明中记载的“Frit中心线”的定义为,制备的Frit线其沿宽度方向的中线,激光的光斑中心落在该中线上。
本发明中记载的“接触区域”的定义为,封装基板和驱动基板贴合后Frit覆盖驱动基板的区域,即驱动基板上相对应的Frit接触区域。
本发明中记载“分布密度”的定义为,单位面积上单个或多个金属单元孔所占总面积的比值,单位面积上金属单元孔所占面积的比值越大则分布密度越大,多个金属单元孔的面积大小或形状可以不相同。
本发明中记载“封装基板”的定义为,带有触控电路和密封材料的玻璃片。
本发明中记载“驱动基板”的定义为,带有驱动电路和发光层的玻璃片。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题,本发明提供一种改善Frit烧结效果的方法,该方法能实现在激光焊接Frit过程中Frit线条各部位的烧结效果一致。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种改善Frit烧结效果的方法,具体包括如下步骤:
步骤一,通过丝网印刷工艺,将Frit成型于封装基板上,然后进行高温烧结,备用;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择