[发明专利]一种改善Frit烧结效果的方法在审
| 申请号： | 202110859465.2 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113707834A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 段海超;叶雁祥;劳泽斌;蔡晓义 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 唐超 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 frit 烧结 效果 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善Frit烧结效果的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在驱动基板上的相对应的Frit接触区域制备第一无机膜层；
在所述第一无机膜层上制备金属层；
在所述金属层上加工形成多个不相连的金属单元孔，所述金属单元孔的分布密度沿着Frit中心线向外围方向逐渐减小，从而形成所述金属单元孔的内密外疏的分布方式。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一无机膜层包括SiNx或SiO2。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述金属层远离所述第一无机膜层的端面上制备第二无机膜层，所述第二无机膜层会填充所述金属单元孔。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属层包括金属Mo。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二无机膜层包括SiNx，所述第二无机膜层的厚度不超过
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第二无机膜层包括SiO2，所述第二无机膜层的厚度不超过
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属层为Ti-Al-Ti层状复合金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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