[发明专利]一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，钝化层(5)两端设有源极(6)和漏极(7)，源极(6)的右侧设有p-GaN层(4)，该p-GaN层(4)与源极(6)之间的距离为s，p-GaN层(4)上设有栅极(8)，栅极(8)上连接有栅场板(9)，其特征在于，漏极(7)的左侧设有与漏极(7)相连的n型半导体漏极场板(10)，以提高p-GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，该n型半导体漏极场板(10)与势垒层(3)之间的距离为c，其中s为1～5μm，c为10～100nm。

2.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：n型半导体漏极场板(10)采用n型GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN、Si、SiC中的任意一种，其n型掺杂浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁹cm^-3，长度a不超过所述栅场板与所述漏极之间距离的一半，厚度b为90～400nm。

3.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：衬底(1)采用蓝宝石、SiC、GaN或Si中的任意一种。

4.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：缓冲层(2)采用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的任意一种，其厚度为1～10μm。

5.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：势垒层(3)采用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的任意一种，其厚度为5～100nm。

6.根据权利要求书1所述的晶体管，其特征在于：钝化层(5)采用SiN_x、Al₂O₃、AlN、SiO₂、HfO₂、ScO₂、TiO₂、ZrO₂中的任意一种，其厚度为100～500nm。