[发明专利]光检测和测距系统以及光学系统

权利要求书

1.一种光检测和测距系统，包括：

至少第一电磁辐射发射结构和第二电磁辐射发射结构，所述第一电磁辐射发射结构被配置成用于发射第一相干电磁辐射，所述第二电磁辐射发射结构被配置成用于发射第二相干电磁辐射；

至少第一电磁辐射检测结构和第二电磁辐射检测结构，所述第一电磁辐射检测结构被配置成用于检测所述第一相干电磁辐射和所述第二相干电磁辐射，所述第二电磁辐射检测结构被配置成用于检测所述第一相干电磁辐射和所述第二相干电磁辐射；

多个光学组件，光学地被配置成用于将来自所述至少第一电磁辐射发射结构和第二电磁辐射发射结构的电磁辐射引导至所述光检测和测距系统的外部，并将来自所述光检测和测距系统的外部的电磁辐射引导至所述至少第一电磁辐射检测结构和第二电磁辐射检测结构，

其中，所述多个光学组件被配置成用于：

将来自所述第一相干电磁辐射发射结构的第一电磁辐射引导至所述第一相干电磁辐射检测结构，

将来自所述光检测和测距系统外部的第一电磁辐射引导至所述第二相干电磁辐射检测结构，

将来自第二相干电磁辐射发射结构的第二电磁辐射引导至所述第二相干电磁辐射检测结构，并且

将来自所述光检测和测距系统的外部的第二电磁辐射引导至所述第一相干电磁辐射检测结构，

其中，所述多个光学组件被配置成使得所述第一电磁辐射和所述第二电磁辐射在所述第一电磁辐射检测结构和所述第二电磁辐射检测结构处彼此相干；

其中，所述多个光学组件包括光轴，其中，所述第一相干电磁辐射发射结构被布置在距所述光轴第一距离处，并且所述第二相干电磁辐射发射结构被布置在距所述光轴第二距离处，其中，所述第一距离与所述第二距离相同；并且

其中，所述至少第一电磁辐射发射结构和所述第二相干电磁辐射发射结构由光子集成电路形成；

其中，任选地，所述第一相干电磁辐射发射结构、所述光轴和所述第二相干电磁辐射发射结构沿着一个共同线或在一个共同线上布置。

2.根据权利要求1所述的光检测和测距系统，进一步包括：

第三电磁辐射发射结构和第四电磁辐射发射结构，所述第三电磁辐射发射结构被布置在距所述第一相干电磁辐射发射结构第三距离处，所述第四电磁辐射发射结构被布置在距所述第二相干电磁辐射发射结构第四距离处，其中所述第三距离与所述第四距离相同并且其中所述第三距离与所述第一距离不同；和/或

中心电磁辐射发射结构，所述中心电磁辐射发射结构被布置在所述多个光学组件的所述光轴处。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的光检测和测距系统，

其中，所述多个光学组件包括相移结构，所述相移结构被配置成用于对所述第一电磁辐射和所述第二电磁辐射的相位进行移位；和/或

其中，所述多个光学组件包括光学抽头，所述光学抽头被配置成用于将所述第一相干电磁辐射引至所述第二相干电磁辐射检测结构并且用于将所述第二电磁辐射引至所述第一相干电磁辐射检测结构，其中所述光学抽头被配置为基本上透明的板。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的光检测和测距系统，进一步包括：

二维阵列，所述二维阵列包括多个电磁辐射发射结构，所述多个电磁辐射发射结构包括所述第一电磁辐射发射结构和所述第二电磁辐射发射结构。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的光检测和测距系统，

其中，所述多个光学组件包括可移动反射镜和光栅结构，所述可移动反射镜和所述光栅结构被配置成用于将所述第一电磁辐射和所述第二电磁辐射引至所述外部，并且用于将来自所述外部的所反射的第一电磁辐射和第二电磁辐射引至所述第一电磁辐射检测结构和所述第二电磁辐射检测结构；

其中，任选地，所述多个光学组件包括会聚透镜，所述会聚透镜被配置成将所述第一电磁辐射和所述第二电磁辐射准直并对齐到所述光栅结构上。