[发明专利]半导体工艺废气处理装置

说明书

本申请涉及半导体工艺废气处理技术领域，具体涉及一种半导体工艺废气处理装置。半导体工艺废气处理装置包括：处理箱体，所述处理箱体包括依次连通的氧化反应腔、废液聚集腔和雾化水洗腔；所述氧化反应腔和所述雾化水洗腔位于所述废液聚集腔上方；所述氧化反应腔连通进气通道，所述进气通道用于将工艺废气输入所述氧化反应腔中，所述氧化反应腔对输入该氧化反应腔中的工艺废气进行氧化反应；所述雾化水洗腔连通排气通道，所述雾化水洗腔中设有喷淋装置，所述喷淋装置上安装有雾化片，所述雾化片能够以第一振荡频率振动使得所述喷淋装置喷淋雾化水珠；所述废液聚集腔中设有振动片，所述振动片能够以第二振荡频率振动。该半导体工艺废气处理装置，可以解决相关技术中废气排放口的问题。

技术领域

本申请涉及半导体工艺废气处理技术领域，具体涉及一种半导体工艺废气处理装置。

背景技术

半导体制作工艺完成后会产生工艺废气，该工艺废气为混合气体包括例如四氢化硅SiH₄气体、氟化氢HF气体等有害气体，因此需要在排放前进行无害化处理。

通常，相关技术采用废气处理装置，先将通入装置中的废气进行氧化处理以将工艺废气中可以发生氧化的气体氧化形成无害物质，再将氧化处理后的废气进行水洗处理，使得溶于水的废气进入水中。

但是对于相关管技术中，氧化处理后产生的物质易结成块并漂浮在水洗后产生的废水中，逐渐堵塞废气流动通道，阻碍废气进行下一步处理。此外，在水洗流程无法将所有的反应产物浸于废水中，部分反应物会逐渐沉积在废气排放口，从而导致废气排放口逐渐堵塞。

发明内容

本申请提供了一种半导体工艺废气处理装置，可以解决相关技术中废气排放口的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种半导体工艺废气处理装置，所述半导体工艺废气处理装置包括：

处理箱体，所述处理箱体包括依次连通的氧化反应腔、废液聚集腔和雾化水洗腔；所述氧化反应腔和所述雾化水洗腔位于所述废液聚集腔上方；

所述氧化反应腔连通进气通道，所述进气通道用于将工艺废气输入所述氧化反应腔中，所述氧化反应腔对输入该氧化反应腔中的工艺废气进行氧化反应；

所述雾化水洗腔连通排气通道，所述雾化水洗腔中设有喷淋装置，所述喷淋装置上安装有雾化片，所述雾化片能够以第一振荡频率振动使得所述喷淋装置喷淋雾化水珠；

所述废液聚集腔中设有振动片，所述振动片能够以第二振荡频率振动。

可选地，所述氧化反应腔中通有助燃气体。

可选地，所述氧化反应腔的温度环境为500℃至1000℃。

可选地，所述第一振荡频率的范围为1MHz。

可选地，所述第二振荡频率的范围为10KHZ-200KHZ。

可选地，所述振动片位于所述废液聚集腔的底面，使得所述废液聚集腔中聚集的废液浸没所述振动片。

可选地，所述废液聚集腔包括位于所述废液聚集腔顶部的第一连通口和第二连通口，所述废液聚集腔通过所述第一连通口与所述氧化反应腔连通，所述废液聚集腔通过所述第二连通口与所述雾化水洗腔连通。

可选地，所述废液聚集腔的顶部形成流通空间，所述第一连通口与所述第二连通口通过所述流通空间连通。

可选地，所述废液聚集腔中聚集的废液上表面位于所述第一连通口或第二连通口所在位置下，使得所述废液聚集腔的顶部形成流通空间。

可选地，所述废液聚集腔还连接排液装置，所述排液装置用于控制聚集在所述废液聚集腔中的废液排出。