[发明专利]半导体工艺废气处理装置在审
| 申请号： | 202110856408.9 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113578009A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王昕昀;李占斌;田旭;宋本良;马建;田桂龙;李迎辉;杨健 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/74 | 分类号： | B01D53/74;B01D53/76;B01D53/68;B01D53/46;B01D53/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 废气 处理 装置 | ||
1.一种半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述半导体工艺废气处理装置包括：
处理箱体，所述处理箱体包括依次连通的氧化反应腔、废液聚集腔和雾化水洗腔；所述氧化反应腔和所述雾化水洗腔位于所述废液聚集腔上方；
所述氧化反应腔连通进气通道，所述进气通道用于将工艺废气输入所述氧化反应腔中，所述氧化反应腔对输入该氧化反应腔中的工艺废气进行氧化反应；
所述雾化水洗腔连通排气通道，所述雾化水洗腔中设有喷淋装置，所述喷淋装置上安装有雾化片，所述雾化片能够以第一振荡频率振动使得所述喷淋装置喷淋雾化水珠；
所述废液聚集腔中设有振动片，所述振动片能够以第二振荡频率振动。
2.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述氧化反应腔中通有助燃气体。
3.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述氧化反应腔的温度环境为500℃至1000℃。
4.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述第一振荡频率的范围为大于等于1MHz。
5.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述第二振荡频率的范围为10KHZ至200KHZ。
6.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述振动片位于所述废液聚集腔的底面，使得所述废液聚集腔中聚集的废液浸没所述振动片。
7.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述废液聚集腔包括位于所述废液聚集腔顶部的第一连通口和第二连通口，所述废液聚集腔通过所述第一连通口与所述氧化反应腔连通，所述废液聚集腔通过所述第二连通口与所述雾化水洗腔连通。
8.如权利要求7所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述废液聚集腔的顶部形成流通空间，所述第一连通口与所述第二连通口通过所述流通空间连通。
9.如权利要求8所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述废液聚集腔中聚集的废液上表面位于所述第一连通口或第二连通口所在位置下，使得所述废液聚集腔的顶部形成流通空间。
10.如权利要求1所述的半导体工艺废气处理装置，其特征在于，所述废液聚集腔还连接排液装置，所述排液装置用于控制聚集在所述废液聚集腔中的废液排出。
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