[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板；

一第一井，位于该基板上，该第一井包括一第一导电型态的掺质；

一第一抗击穿层，位于该第一井的上侧部分，该第一抗击穿层包括该第一导电型态的掺质且还包括碳；

一源极结构与一漏极结构，与该第一抗击穿层相邻且为一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态相反；

多个通道层，位于该第一抗击穿层上并连接该源极结构至该漏极结构，其中多个所述通道层彼此垂直堆叠；以及

一栅极，包覆每一所述通道层，其中该栅极的第一部分位于多个所述通道层的最底层以及该第一抗击穿层之间。