[发明专利]一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备

说明书

本发明公开了一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备，其加工方法包括：利用AOI模块定位微型元件基板的需要加工的部位；在微型元件基板覆盖加工材料；通过激光耦合超声波对微型元件基板的需要加工的部位进行烧灼。其加工设备包括AOI模块和机械模块；AOI模块的检测端对准微型元件基板，AOI模块用于定位微型元件基板的需要加工的部位；机械模块用于利用超声波耦合激光对微型元件基板的需要加工的部位进行烧灼。所述微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备，利用超声波辅助和AOI模块定位，解决了微型元件基板增材和/或减材的质量低和精准度低的问题。

技术领域

本发明涉及激光加工制造技术领域，特别是一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备。

背景技术

微型元件基板是电子元器件的支撑体和电气连接的载体，比如各种线路板，随着电子产品朝着小型化和数字化发展，微型元件基板也朝着高密度、高精度、细孔径、细导线、细间距、高可靠、多层化、高速传输、轻量和薄型方向发展，因此对微型元件基板的加工成型方式有较高的要求。

现阶段的微型元件基板的加工成型的方式，在增材和/或减材方面，由于需要加工成型的微型元件基板的体积小等原因，质量和精准度受到了很大限制。

发明内容

针对上述缺陷，本发明的目的在于提出一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备，利用超声波辅助和AOI模块定位，解决了微型元件基板增材和/或减材的质量低和精准度低的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：一种微型元件基板的加工方法，包括以下步骤：

A：利用AOI模块定位微型元件基板的需要加工的部位；

B：在所述微型元件基板覆盖加工材料；

在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材时，所述加工材料为纳米铜；在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材时，所述加工材料为腐蚀溶液；

C：通过激光耦合超声波对所述微型元件基板的需要加工的部位进行烧灼；

其中，超声波作用于所述加工材料，当所述加工材料由于超声波的作用而振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位。

值得说明的是，所述步骤C中，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程中，超声波于所述加工材料形成正压的振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位；在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，超声波于所述加工材料形成负压的振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位。

可选地，在步骤A之前，还包括步骤D；

所述步骤D为：将所述微型元件基板放置于被等离子化的加工气体中。

具体地，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程时，步骤B和步骤C之间，还包括步骤E；

所述步骤E为：对所述微型元件基板通入负压的直流电或者通入负压大于正压的交流电。

优选的，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程中：

所述加工材料的pH值为中性、弱酸性或弱碱性；

在步骤C之后，还包括步骤F：利用湿法清洗溶液配合超声波作用于烧灼完毕的所述微型元件基板，去除所述加工材料的残留颗粒。

值得说明的是，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，还包括步骤G；

所述步骤G为：实时监测加工材料的pH值，通过调节所述加工材料的pH值使其稳定在酸性或者碱性。

可选地，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，在步骤A和步骤B之间，还包括步骤H；