[发明专利]一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备

权利要求书

1.一种微型元件基板的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

A：利用AOI模块定位微型元件基板的需要加工的部位；

B：在所述微型元件基板覆盖加工材料；

在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材时，所述加工材料为纳米铜；在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材时，所述加工材料为腐蚀溶液；

C：通过激光耦合超声波对所述微型元件基板的需要加工的部位进行烧灼；

其中，超声波作用于所述加工材料，当所述加工材料由于超声波的作用而振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位；

所述步骤C中，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程中，超声波于所述加工材料形成正压的振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位；在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，超声波于所述加工材料形成负压的振动时，激光照射所述微型元件基板的需要加工的部位。

2.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：在步骤A之前，还包括步骤D；

所述步骤D为：将所述微型元件基板放置于被等离子化的加工气体中。

3.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程时，步骤B和步骤C之间，还包括步骤E；

所述步骤E为：对所述微型元件基板通入负压的直流电或者通入负压大于正压的交流电。

4.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于，在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行增材的过程中：

所述加工材料的pH值为中性、弱酸性或弱碱性；

在步骤C之后，还包括步骤F：利用湿法清洗溶液配合超声波作用于烧灼完毕的所述微型元件基板，去除所述加工材料的残留颗粒。

5.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，还包括步骤G；

所述步骤G为：实时监测加工材料的pH值，通过调节所述加工材料的pH值使其稳定在酸性或者碱性。

6.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：在对所述微型元件基板的需要加工的部位进行减材的过程中，在步骤A和步骤B之间，还包括步骤H；

所述步骤H为：于所述加工材料中加入黑色色素。

7.根据权利要求1所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：在所述步骤C之后，还包括步骤I；

所述步骤I为：采用0.1mol/L的2-苯基咪唑溶液对烧灼完毕的所述微型元件基板浸泡25s～30s。

8.一种加工设备，使用权利要求1-7任意一项所述的一种微型元件基板的加工方法，其特征在于：包括AOI模块和机械模块；

所述AOI模块的检测端对准所述微型元件基板，所述AOI模块用于定位微型元件基板的需要加工的部位；

机械模块用于利用超声波耦合激光对所述微型元件基板的需要加工的部位进行烧灼。

9.根据权利要求8所述的一种加工设备，其特征在于：所述机械模块包括激光器、振镜、聚焦透镜和超声波发生器；

所述激光器的输出端对准所述振镜的输入端，所述振镜用于引导所述激光器射出的激光对准所述微型元件基板的需要加工的部位；所述振镜的输出端朝向所述聚焦透镜的输入端，所述聚焦透镜的输出端朝向所述超声波发生器；

所述超声波发生器用于放置并振动所述微型元件基板。