[发明专利]跨阻放大电路及光敏芯片在审

专利信息
申请号: 202110848299.6 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN113644884A 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 顾汉玉;徐刚;季月芬 申请(专利权)人: 宁波群芯微电子有限责任公司
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08;H03F3/45
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李笑笑;张振军
地址: 315336 浙江省宁波市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 放大 电路 光敏 芯片
【说明书】:

一种跨阻放大电路及光敏芯片,跨阻放大电路包括:第一光敏二极管、第二光敏二极管、第一反馈电阻、第二反馈电阻以及跨阻放大单元,其中:第一光敏二极管,其阳极接地,其阴极与跨阻放大单元的第一输入端耦接;第二光敏二极管,其阳极接地,其阴极与跨阻放大单元的第二输入端耦接;第一反馈电阻,其第一端与跨阻放大单元的第一输入端耦接,其第二端与跨阻放大单元的第一输出端耦接;第二反馈电阻,其第一端与跨阻放大单元的第二输入端耦接,其第二端与跨阻放大单元的第二输出端耦接;第二光敏二极管表面覆盖有阻光层,且第二光敏二极管的本征电流用于补偿第一光敏二极管的本征电流。上述方案能够提高跨阻放大电路的抗共模干扰的能力。

技术领域

发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种跨阻放大电路及光敏芯片。

背景技术

跨阻放大电路是实现光电转换的关键电路。传统的跨阻放大电路中,通常采用电流源作为跨阻放大电路的稳态补偿。参照图1,给出了现有的一种跨阻放大电路的结构示意图。

图1中,光敏二极管PD在接收到光照后产生μA(微安)级的光敏电流,通过跨阻放大单元对光敏电流进行放大并输出。跨阻放大单元的第一输入端“+”与第一输出端VO1之间连接有一负载电阻RF,第二输入端“-”与第二输出端VO2之间连接有一负载电阻RF。通过电流源ITH输出电流,对光敏二极管PD的本征电流进行补偿。

然而,由于电流源ITH的电流大小通常是预先设定的,与光敏二极管PD的本征电流不一致。此外,受限于工艺影响,电流源ITH输出的电流本身也会存在一定的波动。现有技术中,受限于电流源ITH,跨阻放大电路的抗共模干扰的能力较差。

发明内容

本发明实施例解决的是跨阻放大电路的抗共模干扰的能力较差。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种跨阻放大电路,包括:第一光敏二极管、第二光敏二极管、第一反馈电阻、第二反馈电阻以及跨阻放大单元,其中:所述第一光敏二极管,其阳极接地,其阴极与所述跨阻放大单元的第一输入端耦接;所述第二光敏二极管,其阳极接地,其阴极与所述跨阻放大单元的第二输入端耦接;所述第一反馈电阻,其第一端与所述跨阻放大单元的第一输入端耦接,其第二端与所述跨阻放大单元的第一输出端耦接;所述第二反馈电阻,其第一端与所述跨阻放大单元的第二输入端耦接,其第二端与所述跨阻放大单元的第二输出端耦接;所述第二光敏二极管表面覆盖有阻光层,且所述第二光敏二极管的本征电流用于补偿所述第一光敏二极管的本征电流。

可选的,所述跨阻放大单元包括:第一级放大电路、第二级放大电路以及第一电流源。

可选的,所述第一级放大电路包括:第一NMOS管、第三NMOS管、第一负载电阻以及第三负载电阻;所述第二级放大电路包括:第二NMOS管、第四NMOS管、第二负载电阻、以及第四负载电阻,其中:所述第一NMOS管,其栅极与所述第一光敏二极管的阴极耦接,其漏极与所述第一负载电阻的第一端、所述第二NMOS管的栅极耦接,其源极与所述第一电流源的第一端耦接;所述第一负载电阻,其第二端与所述第二NMOS管的漏极耦接;所述第二NMOS管,其漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接,其源极与所述第二负载电阻的第一端耦接;所述第二负载电阻,其第一端与所述跨阻放大单元的第一输出端耦接,其第二端接地;所述第三NMOS管,其栅极与所述第二光敏二极管的阴极耦接,其漏极与所述第三负载电阻第一端、所述第四NMOS管的栅极耦接,其源极与所述第一电流源的第一端耦接;所述第三负载电阻,其第二端与所述第四NMOS管的漏极耦接;所述第四NMOS管,其源极与所述第四负载电阻第一端耦接;所述第四负载电阻,其第一端与所述跨阻放大单元的第二输出端耦接,其第二端接地。

可选的,所述跨阻放大单元还包括:第三级放大电路以及第二电流源。

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