[发明专利]跨阻放大电路及光敏芯片

权利要求书

1.一种跨阻放大电路，其特征在于，包括：第一光敏二极管、第二光敏二极管、第一反馈电阻、第二反馈电阻以及跨阻放大单元，其中：

所述第一光敏二极管，其阳极接地，其阴极与所述跨阻放大单元的第一输入端耦接；

所述第二光敏二极管，其阳极接地，其阴极与所述跨阻放大单元的第二输入端耦接；

所述第一反馈电阻，其第一端与所述跨阻放大单元的第一输入端耦接，其第二端与所述跨阻放大单元的第一输出端耦接；

所述第二反馈电阻，其第一端与所述跨阻放大单元的第二输入端耦接，其第二端与所述跨阻放大单元的第二输出端耦接；

所述第二光敏二极管表面覆盖有阻光层，且所述第二光敏二极管的本征电流用于补偿所述第一光敏二极管的本征电流。

2.如权利要求1所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述跨阻放大单元包括：第一级放大电路、第二级放大电路以及第一电流源。

3.如权利要求2所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括：第一NMOS管、第三NMOS管、第一负载电阻以及第三负载电阻；所述第二级放大电路包括：第二NMOS管、第四NMOS管、第二负载电阻、以及第四负载电阻，其中：

所述第一NMOS管，其栅极与所述第一光敏二极管的阴极耦接，其漏极与所述第一负载电阻的第一端、所述第二NMOS管的栅极耦接，其源极与所述第一电流源的第一端耦接；

所述第一负载电阻，其第二端与所述第二NMOS管的漏极耦接；

所述第二NMOS管，其漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接，其源极与所述第二负载电阻的第一端耦接；

所述第二负载电阻，其第一端与所述跨阻放大单元的第一输出端耦接，其第二端接地；

所述第三NMOS管，其栅极与所述第二光敏二极管的阴极耦接，其漏极与所述第三负载电阻第一端、所述第四NMOS管的栅极耦接，其源极与所述第一电流源的第一端耦接；

所述第三负载电阻，其第二端与所述第四NMOS管的漏极耦接；

所述第四NMOS管，其源极与所述第四负载电阻第一端耦接；

所述第四负载电阻，其第一端与所述跨阻放大单元的第二输出端耦接，其第二端接地。

4.如权利要求3所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述跨阻放大单元还包括：第三级放大电路以及第二电流源。

5.如权利要求4所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述第三级放大电路包括：第五NMOS管、第五负载电阻、第三反馈电阻、第六NMOS管、第六负载电阻以及第四反馈电阻，其中：

所述第五NMOS管，其栅极与所述第二NMOS管的源极、所述第二负载电阻的第一端耦接，其漏极与所述第五负载电阻的第一端、所述跨阻放大单元的第二输出端耦接，其源极与所述第三反馈电阻的第一端耦接；

所述第五负载电阻，其第二端与所述第二NMOS管的漏极耦接；

所述第三反馈电阻，其第二端与所述第二电流源的第一端耦接；

所述第六NMOS管，其栅极与所述第四NMOS管的源极、所述第四负载电阻的第一端耦接，其漏极与所述第六负载电阻的第一端、所述跨阻放大单元的第一输出端耦接，其源极与所述第四反馈电阻的第一端耦接；

所述第六负载电阻，其第二端与所述第五负载电阻的第二端耦接；

所述第四反馈电阻，其第二端与所述第二电流源的第一端耦接；

所述第二电流源，其第二端接地。

6.如权利要求1所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述第一光敏二极管的本征电流与所述第二光敏二极管的本征电流之差小于预设电流值。

7.如权利要求1所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述第一光敏二极管的本征电流与所述第二光敏二极管的本征电流相等。

8.如权利要求1所述的跨阻放大电路，其特征在于，所述第一光敏二极管的面积与所述第二光敏二极管的面积相等，且所述第一光敏二极管与所述第二光敏二极管相邻设置。

9.一种光敏芯片，其特征在于，包括：如权利要求1～8任一项所述的跨阻放大电路。