[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110848235.6 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113643980A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件形成方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤一、提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；
步骤二、在所述伪栅极结构的两侧形成侧墙；
步骤三、去除所述伪栅极结构以形成沟槽；
步骤四、在所述沟槽的底部形成高k介电层；
步骤五、在所述沟槽的侧壁和底部形成功函数设定金属层；
步骤六、在所述沟槽内填充金属。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一中的所述伪栅极结构由自下而上堆叠的牺牲栅极介电层和牺牲栅极材料层构成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤四中的所述高k介电层采用选择性原子层沉积工艺形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤五中的所述功函数设定金属层和步骤六中的所述金属之间还包括自下而上堆叠的阻挡层和浸润层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤六中的所述金属为钨。
6.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
侧墙；
位于所述侧墙之间的沟槽；
形成在所述沟槽底部的高k介电层；
形成在所述沟槽侧壁和底部的功函数设定金属层；
填充所述沟槽的金属。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述高k介电层采用选择性原子层沉积工艺形成。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述功函数设定金属层和所述金属之间还包括自下而上堆叠的阻挡层和浸润层。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述金属为钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
