[发明专利]一种环栅半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种环栅半导体器件，其特征在于，所述环栅半导体器件包括：

衬底；

形成在所述衬底上的SOI结构；

形成在所述SOI结构上的环栅场效应晶体管；

其中，所述SOI结构通过在所述衬底中注入氧气并进行热氧化处理形成。

2.根据权利要求1所述的环栅半导体器件，其特征在于，所述环栅场效应晶体管为环绕式纳米片场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的环栅半导体器件，其特征在于，所述衬底为体硅衬底。

4.一种环栅半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一、提供衬底；

步骤二、在所述衬底中注入氧气并进行热氧化处理形成SOI结构；

步骤三、在所述SOI结构上形成环栅场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤一中的所述衬底为体硅衬底。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤三中的所述环栅场效应晶体管为环绕式纳米片场效应晶体管。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤三包括:

在所述SOI结构上交替形成SiGe和Si的叠层；

在所述叠层、所述SOI结构以及所述衬底的两侧形成浅沟槽；

在所述叠层上形成多晶硅伪栅极；

刻蚀所述多晶硅伪栅极的两侧，形成源漏沟槽；

在所述源漏沟槽底部和侧壁形成一层隔离层；

在所述源漏沟槽中进行外延生长，形成外延层；

沉积硬掩膜层，去除所述多晶硅伪栅极打开沟道区域；

去除所述叠层中的SiGe，将所述叠层形成中空结构；

在所述沟道区域的底部形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成栅极介质层；

去除所述氮化硅硬掩膜层；

形成接触孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述叠层的层数大于或等于两层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，打开所述沟道区域的方法包括：在所述氮化硅硬掩膜层上旋涂光刻胶，经过曝光和显影，形成沟道图形，之后按照所述沟道图形进行刻蚀，去除所述多晶硅伪栅极。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述栅极介质层后进行化学机械研磨使其上表面平坦化。