[发明专利]一种钽靶材反溅射层的加工方法

说明书

本发明提供一种钽靶材反溅射层的加工方法，所述加工方法包括在所述反溅射层依次进行喷砂处理和熔射处理。所述方法可以有效降低钽靶材溅射过程中出现Particle的风险，提高靶材的使用寿命。

技术领域

本发明属于靶材制造领域，涉及一种钽靶材的加工方法，尤其涉及一种钽靶材反溅射层的加工方法。

背景技术

溅射靶材背板(Sputtering Target Back Plate，BP)：金属溅射靶材是溅射沉积技术中用做阴极的材料。该阴极材料在溅射机台中被带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面重新沉积。由于金属溅射靶材往往是高纯的铝、铜、钛、镍、钽及贵金属等比较贵重的材料，所以在其制造时常常使用比较普通的材料来作为背板。背板起到支撑靶材、冷却、降低成本等作用，常用的材料有铝合金(ALBP)、铜合金(CUBP)等。

现有技术中，钽靶材在长期使用过程中，随着其反溅射层厚度的增加，会出现吸附层附着力不够的情况，导致反溅射层脱落，出现Particle问题。

CN104451567A公开了一种钽靶材及其制备方法，包括以下步骤，首先将钽锭经过第一次锻造后，得到一次锻造坯料；然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后，得到二次锻造坯料；再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后，得到三次锻造坯料；再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后，得到四次锻造坯料；最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后，得到钽靶材；所述第一次锻造为旋转锻造；所述第一次锻造的温度为800～1400℃。

CN108655403A公开了一种电子材料用高纯钽靶材的制备方法，属于粉末冶金和半导体器件制造领域，所述制备方法是将高纯钽块体首先进行粉碎，再球磨至粒度为5-150μm的钽粉；将钽粉混料后装模，振实压紧；然后将模具放入高温热压炉，在1500-1800℃进行热压；烧结结束后冷却至室温出炉、脱模，得到高纯钽靶材的坯体，密度为11.3-14.5g/cm³。

发明内容

为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种钽靶材反溅射层的加工方法，所述方法可以有效降低钽靶材溅射过程中出现Particle的风险，提高靶材的使用寿命。

为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种钽靶材反溅射层的加工方法，所述加工方法包括在所述反溅射层依次进行喷砂处理和熔射处理。

本发明中，通过在喷砂层表面增加熔射层，增加反溅射层表面粗糙度，增加反溅射层附着度，降低Particle的出现几率。

作为本发明优选的技术方案，所述熔射处理得到的熔射层的厚度为 0.13～0.25mm，如0.15mm、0.16mm、0.18mm、0.20mm、0.22mm或0.24mm 等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述熔射处理得到的熔射层的粗糙度Ra为 12.70～22.86μm，如13.00μm、14.00μm、15.00μm、16.00μm、17.00μm、18.00μm、 19.00μm、20.00μm、21.00μm或22.00μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述喷砂处理得到的喷砂层的粗糙度Ra为 5.08～7.62μm，如5.10μm、5.20μm、5.50μm、5.80μm、6.00μm、6.20μm、6.50μm、 6.80μm、7.00μm、7.20μm或7.50μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述喷砂处理的原料为46#白刚玉。