[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置包括：用于水平地保持基片的保持部；用于使保持部旋转的旋转部；和控制部。保持部包括：旋转盘，能够由旋转部使旋转盘旋转；第1抓持部，其能够与旋转盘一起旋转，并且能够在抓持基片的周缘的抓持位置与将基片释放的释放位置之间移动；和第2抓持部，其能够与旋转盘一起旋转，并且能够与第1抓持部独立地在抓持位置与释放位置之间移动。控制部能够在由旋转部使保持部旋转并且对被保持部保持的基片供给液体的期间，利用第1抓持部和第2抓持部交替地抓持基片的周缘。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

专利文献1中公开的基片处理装置，一边使半导体晶片等基片在水平面内旋转，一边对基片的正面反面实施处理。基片由多个基片支承部件以可滑动的方式保持。多个基片支承部件与旋转基座一起旋转。基片通过一定的加减速或者液体的供给，相对于基片支承部件滑出，基片与旋转基座的转速产生差异从而使基片相对于旋转基座进行相对旋转。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-93891号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的一个方式提供能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生的技术。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式的基片处理装置包括：用于水平地保持基片的保持部；用于使所述保持部旋转的旋转部；用于对由所述保持部水平地保持的所述基片供给液体的液体供给部；和用于对所述保持部、所述旋转部和所述液体供给部进行控制的控制部。所述保持部包括：旋转盘，能够由所述旋转部使所述旋转盘旋转；第1抓持部，其能够与所述旋转盘一起旋转，并且能够在抓持所述基片的周缘的抓持位置与将所述基片释放的释放位置之间移动；和第2抓持部，其能够与所述旋转盘一起旋转，并且能够与所述第1抓持部独立地在所述抓持位置与所述释放位置之间移动。所述控制部能够在由所述旋转部使所述保持部旋转并且对被所述保持部保持的所述基片供给液体的期间，利用所述第1抓持部和所述第2抓持部交替地抓持所述基片的周缘。

发明效果

采用本发明的一个方式，能够抑制基片的处理不均匀、抑制基片与抓持基片的抓持部的摩损、并且抑制由摩损导致的颗粒的产生。

附图说明

图1是表示一个实施方式的基片处理装置的截面图。

图2是图1的局部放大图。

图3是表示一个实施方式的保持部的截面图，(A)是表示第1抓持部的抓持位置的截面图，(B)是表示第1抓持部的释放位置的截面图。

图4是表示第1抓持部和第2抓持部的移动的一个例子的平面图，(A)是表示两者均位于释放位置的状态的平面图，(B)是表示一者位于抓持位置而另一者位于释放位置的状态的平面图。

图5是表示第1抓持部和第2抓持部的移动的一个例子的平面图，(A)是表示两者均位于抓持位置的状态的平面图，(B)是表示一者位于释放位置而另一者位于抓持位置的状态的平面图。

图6是一个实施方式的基片处理方法的流程图。

图7是表示基片的改换抓持动作的一个例子的时序图。

图8是表示基片的改换抓持动作的另一个例子的时序图。

图9是表示第1变形例的保持部的截面图，(A)是表示第1抓持部的抓持位置的截面图，(B)是表示第1抓持部的释放位置的截面图。