[发明专利]一种锰锌铁氧体薄膜制备方法

权利要求书

1.一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：步骤如下：

A、以单晶硅片为衬底，加热至100~400℃，以Fe₂O₃为靶材，抽真空后，冲入保护气，气压为0.5Pa~2.5Pa的环境中进行射频磁控溅射镀膜；

B、以步骤A得到的薄膜为衬底，加热至100~400℃，以ZnO为靶材，抽真空后，冲入保护气，气压为0.5Pa~2.5Pa的环境中进行射频磁控溅射镀膜；

C、以步骤B得到的薄膜为衬底，加热至100~400℃，以MnO₂为靶材，抽真空后，冲入保护气，气压为0.5Pa~2.5Pa的环境中进行射频磁控溅射镀膜；

D、将步骤C得到的薄膜置于真空炉内，温度1000~1400℃，氧气气压为5Pa~30Pa环境下烧结，并冷却至室温；

E、以步骤D得到的薄膜为衬底，加热至100~400℃，依次以CaO、SiO₂ 、Nb₂O₅、ZrO₂、SnO₂、TiO₂、V₂O₅、P₂O₅、Ni₂O₃、Co₂O₃、MoO₃、Ta₂O₅、Bi₂O₃中的三种及以上为靶材，进行掺杂，抽真空后，冲入保护气，气压为0.5Pa~2.5Pa的环境中进行射频磁控溅射镀膜；

F、将步骤E得到的薄膜置于真空炉内，温度400~600℃，氧气气压为5Pa~30Pa环境下退火，并冷却至室温，得到锰锌铁氧体薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述保护气为氩气。

3.根据权利要求2所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以Fe₂O₃为靶材射频磁控溅射镀膜时间为2~10分钟。

4.根据权利要求3所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以ZnO为靶材射频磁控溅射镀膜时间为1~5分钟。

5.根据权利要求4所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以MnO₂为靶材射频磁控溅射镀膜时间为1~5分钟。

6.根据权利要求5所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以1000~1400℃温度烧结时间为1~4小时。

7.根据权利要求6所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以1000~1400℃温度烧结并冷却至室温，冷却条件为随炉冷却。

8.根据权利要求7所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述依次以CaO、SiO₂ 、Nb₂O₅、ZrO₂、SnO₂、TiO₂、V₂O₅、P₂O₅、Ni₂O₃、Co₂O₃、MoO₃、Ta₂O₅、Bi₂O₃中的三种及以上为靶材，进行掺杂射频磁控溅射镀膜时间为0.5~2分钟。

9.根据权利要求8所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以400~600℃温度退火时间为5~30分钟。

10.根据权利要求9所述的一种锰锌铁氧体薄膜制备方法，其特征在于：所述以400~600℃温度退火并冷却至室温，冷却条件为随炉冷却。