[发明专利]一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法

说明书

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，包括如下步骤：步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO₃的混合酸溶液中进行酸洗，酸洗时间为1～10min；步骤二，将经过酸洗后的硅片整体浸入浓度为0.5％～5％碱溶液中进行碱洗，碱洗时间为1～15min；步骤三，将经过碱洗的硅片浸入浓度为5％～10％的HF溶液中清洗，清洗时间为1～10min。本发明操作简单，既能够彻底清除正面绕镀中的磷硅玻璃层和中间薄、边缘厚的Poly‑Si层，还能彻底清除硼硅玻璃层和磷硼共掺杂玻璃层，并且不会出现因为未清洗干净或者过度腐蚀造成表面不合格的情况，从而大大提高了电池的合格率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)电池是一种新型钝化接触技术下的太阳能电池，该电池具有稳定性好、转化率高的特点，是目前高效N型电池的发展趋势。该技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅(Poly-Si)的隧穿氧化层钝化接触结构，该结构能够使得多数载流子穿透氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，可以极大地降低少数载流子的复合速率，不但能实现与异质结构相当的表面钝化效果，而且可以与高温工艺相兼容，还避免了电极接触处带来的高复合问题。

但是该种结构的高效电池在产业化生产过程中面临的一个主要问题是背表面在进行超薄氧化硅和掺杂多晶硅沉积过程中会在正表面形成绕镀，如果不去除正面绕镀，或者没有去除干净，都会使得电池正面的钝化特性降低，从而影响电池端的转换效率。N型TOPCon电池的这层正面绕镀包括硼硅玻璃层、Poly-Si层、磷硅玻璃层，其中Poly-Si层在整个正表面分布并不均匀，即中间薄、边缘厚。目前产业化生产过程中主要是通过酸洗去除正面绕镀中的Poly-Si层，但有些硅片正面形成的绕镀中还包含磷硼共掺杂玻璃层，由于磷硼共掺杂玻璃层与Poly-Si层被化学试剂腐蚀的速率不相同，而且磷硼共掺杂玻璃层与Poly-Si层的厚度也不同，因此将正面绕镀中含有磷硼共掺杂玻璃层的硅片进行化学清洗后常常会出现未清洗干净或者过度腐蚀造成表面不合格的情况，进而导致TOPCon电池成品合格率相对PERC电池低。

发明内容

基于现有技术中存在的以上问题，本发明提供一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，该方法操作简单，在清除正面绕镀中包含磷硼共掺杂玻璃层的硅片时，既能够彻底清除正面绕镀中的磷硅玻璃层和中间薄、边缘厚的Poly-Si层，还能彻底清除硼硅玻璃层和磷硼共掺杂玻璃层，并且不会出现因为未清洗干净或者过度腐蚀造成表面不合格的情况，从而大大提高了电池的合格率，克服了现有技术的缺陷。

为达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，包括如下步骤：

步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO₃的混合酸溶液中进行酸洗，酸洗时间为1～10min；

步骤二，将经过酸洗后的硅片整体浸入浓度为0.5wt％～5wt％碱溶液中进行碱洗，碱洗时间为1～15min；

步骤三，将经过碱洗的硅片浸入浓度为5％～10％v/v的HF溶液中清洗，清洗时间为1～10min。