[发明专利]一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法在审
| 申请号： | 202110837884.6 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113745106A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郎芳;张伟;王子谦;李青娟;张磊;李锋;史金超;李龙;田思;陈志军 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张沙沙 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 电池 正面 去除 方法 | ||
1.一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO3的混合酸溶液中进行酸洗，酸洗时间为1～10min；
步骤二，将经过酸洗后的硅片整体浸入浓度为0.5wt％～5wt％碱溶液中进行碱洗，碱洗时间为1～15min；
步骤三，将经过碱洗的硅片浸入浓度为5％～10％v/v的HF溶液中清洗，清洗时间为1～10min。
2.如权利要求1所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：所述混合酸溶液中HF、HNO3和去离子水的体积比为2～10:125～135:65，所述清洗时间为2～8min。
3.如权利要求2所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：所述混合酸溶液中HF、HNO3和去离子水的体积比为4～10:128～130:65，所述清洗时间为3～5min。
4.如权利要求1所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：步骤二中，所述碱溶液为KOH水溶液或NaOH水溶液。
5.如权利要求4所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：所述碱溶液的浓度为2wt％～4wt％。
6.如权利要求5所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：所述碱溶液的温度为50～80℃，所述碱洗时间为2～10min。
7.如权利要求1所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，其特征在于：步骤三中，所述HF溶液的浓度为5％～8％v/v，所述清洗时间为2～6min。
8.权利要求1～7任一项所述的N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法在制备N型TOPCon电池中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
