[发明专利]存储器电路及其操作方法

说明书

偏置电压发生器包括第一电流路径、第一电压钳位器件和第一缓冲器。偏置电压发生器接收参考电压并基于参考电压和第一驱动电压之间的电压差生成第一偏置电压，第一电压钳位器件基于所述第一偏置电压通过将所述第一驱动电压施加至所述第一电流路径生成所述第一驱动电压，并且第一缓冲器接收第一偏置电压并基于第一偏置电压生成第二偏置电压。第二电流路径包括基于电阻的存储器件，第二电压钳位器件基于第二偏置电压生成第二驱动电压并将第二驱动电压施加至第二电流路径。本发明的实施例还涉及存储器电路及其操作方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器电路及其操作方法。

背景技术

在一些应用中，集成电路(IC)包括将数据存储在基于电阻的存储器件(例如，电阻式随机存取存储器(RRAM)单元)的阵列中的存储器电路。诸如RRAM单元的基于电阻的存储器件可被编程为高电阻状态(HRS)或低电阻状态(LRS)，每个状态代表由RRAM单元存储的逻辑状态。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种存储器电路，包括：偏置电压发生器，包括第一电流路径、第一电压钳位器件和第一缓冲器，其中偏置电压发生器被配置为接收参考电压并基于参考电压与第一驱动电压之间的电压差生成第一偏置电压；第一电压钳位器件被配置为基于第一偏置电压通过将第一驱动电压施加至第一电流路径生成第一驱动电压，并且第一缓冲器被配置为接收第一偏置电压并基于第一偏置电压生成第二偏置电压；第二电流路径，包括基于电阻的存储器件；以及第二电压钳位器件，被配置为基于第二偏置电压生成第二驱动电压，并将第二驱动电压施加至第二电流路径。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种存储器电路，包括：第一电流路径，包括第一基于电阻的存储器件；第一电压钳位器件，被配置为在第一电流路径处生成第一驱动电压；和偏置电压发生器，包括第一缓冲器和复制电路，复制电路被配置为模拟包括基于电阻的存储器件的第一电流路径的至少一部分的电阻，其中偏置电压发生器被配置为接收参考电压并生成第一偏置电压，第一缓冲器被配置为基于第一偏置电压生成第二偏置电压，复制电路被配置为基于第二偏置电压生成第二驱动电压，并且偏置电压发生器被配置为基于参考电压和第二驱动电压之间的电压差来调节第一偏置电压。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种存储器电路，包括：参考级，被配置为生成参考电压；电压感测级，被配置为检测参考电压和第一偏置电压之间的电压差；增益级，被配置为基于电压差生成第二偏置电压；缓冲器，被配置为基于第二偏置电压生成第一偏置电压；第一电压钳位器件，被配置为基于第一偏置电压生成第一驱动电压；和第一电流路径，包括第一基于电阻的存储器件，其中，第一电压钳位器件被配置为将第一驱动电压施加至第一电流路径。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A和图1B是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图2是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图3是示出根据一些实施例的在读取操作期间的偏置电压的曲线图。

图4是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图5是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图6是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图7是根据一些实施例的执行读取操作的方法的流程图。

具体实施方式