[发明专利]存储器电路及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器电路，包括：

偏置电压发生器，包括第一电流路径、第一电压钳位器件和第一缓冲器，其中

所述偏置电压发生器被配置为接收参考电压并基于所述参考电压与第一驱动电压之间的电压差生成第一偏置电压；

所述第一电压钳位器件被配置为基于所述第一偏置电压通过将所述第一驱动电压施加至所述第一电流路径生成所述第一驱动电压，并且

所述第一缓冲器被配置为接收所述第一偏置电压并基于所述第一偏置电压生成第二偏置电压；

第二电流路径，包括基于电阻的存储器件；以及

第二电压钳位器件，被配置为基于所述第二偏置电压生成第二驱动电压，并将所述第二驱动电压施加至所述第二电流路径。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述偏置电压发生器包括运算放大器，所述运算放大器包括被配置为接收所述参考电压的同相输入端子、被配置为接收所述第一驱动电压的反相端子以及被配置为输出所述第一偏置电压的输出端子。

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述偏置电压发生器还包括：

第二缓冲器，被配置为接收所述第一偏置电压并基于所述第一偏置电压生成第三偏置电压；

第三电流路径，包括第二基于电阻的存储器件；和

第三电压钳位器件，被配置为基于所述第三偏置电压生成第三驱动电压，并将所述第三驱动电压施加至所述第三电流路径。

4.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述偏置电压发生器包括第二缓冲器，所述第二缓冲器被配置为基于所述第一偏置电压生成第三偏置电压，其中，所述第一电压钳位器件被配置为基于所述第三偏置电压生成所述第一驱动电压。

5.根据权利要求4所述的存储器电路，其中：

所述第一缓冲器包括第一电流源和以源极跟随器配置耦合到所述第一电流源的第一NMOS器件，

所述第一NMOS器件的栅极被配置为接收所述第一偏置电压，使得从所述第一NMOS器件的源极生成所述第二偏置电压，并且

所述第一电流源被配置为生成第一电流，所述第一电流源被配置为在待机状态和活动状态下操作，其中，所述第一电流源在所述活动状态下具有第一电流水平并在所述待机状态下具有第二电流水平，所述第一电流水平的大小高于所述第二电流水平。

6.根据权利要求5所述的存储器电路，其中：

所述第二缓冲器包括第二电流源和以源极跟随器配置耦合到所述第二电流源的第二NMOS器件，

所述第二NMOS器件的栅极被配置为接收所述第一偏置电压，使得从所述NMOS器件的源极生成所述第三偏置电压，并且

所述第二电流源被配置为生成约为所述第二电流水平的第二电流。

7.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述基于电阻的存储器件包括电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。

8.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一缓冲器包括：

第一NMOS器件，包括被配置为接收所述第一偏置电压的栅极；

第二NMOS器件，被配置为在待机状态下去激活并在活动状态下被激活，所述第二NMOS器件包括被配置为接收所述第一偏置电压的栅极；

第一电流源，以源极跟随器配置耦合到所述第一NMOS器件，所述第一电流源被配置为生成具有第一电流水平的第一电流；和

第二电流源，被配置为在所述待机状态下去激活并在所述活动状态下被激活，所述第二电流源被配置为以高于所述第一电流水平的第二电流水平生成第二电流，

其中，所述第二电压钳位器件耦合到所述第一NMOS器件的源极和所述第二NMOS器件的源极以接收所述第二偏置电压。