[发明专利]一种薄液膜下电偶腐蚀的评价方法有效

专利信息
申请号: 202110826481.1 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113533187B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 齐叶龙;付益平;秦兴国;刘昱;李勇 申请(专利权)人: 东风汽车集团股份有限公司
主分类号: G01N17/00 分类号: G01N17/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 俞鸿;王虹
地址: 430056 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄液膜下电偶 腐蚀 评价 方法
【权利要求书】:

1.一种薄液膜下电偶腐蚀的评价方法,其特征在于,

包括以下步骤:

(1)制备搭接试样

将待评价电偶腐蚀的A、B两种材料分别制成待测试样A和待测试样B,两待测试样边缘分别作密封绝缘处理后,共同制作成搭接试样,制作成搭接试样具体为:

待测试样A和待测试样B的长度相同,将两待测试样并排放置且长边重合,再取一整块导电胶带将两待测试样背面完全贴附使二者连接导电,将带有导电胶带的两待测试样背面整体进行密封绝缘处理,得到搭接试样;

(2)制备对照试样

将待评价电偶腐蚀的A、B两种材料分别制成对照试样A0和对照试样B0,对照试样A0和对照试样B0尺寸分别与步骤(1)中待测试样A和待测试样B相同,两对照试样边缘分别按步骤(1)中待测试样边缘作同样密封绝缘处理,间隔放置,将两对照试样背面分别按步骤(1)中待测试样背面作同样密封绝缘处理;

(3)盐雾试验

将搭接试样和对照试样A0、对照试样B0进行大气暴露试验或人工加速盐雾试验,期满取样,去除试样上覆盖物后清洗去除腐蚀产物;

(4)腐蚀评价

测定得到待测试样A、待测试样B、对照试样A0、对照试样B0各自的平均腐蚀深度,分别为Ztst-A、Ztst-B、Zref- A、Zref-B,根据统计学t检验判断Ztst-A是否显著区别于Zref-A、Ztst-B是否显著区别于Zref-B,根据统计学t检验判断Ztst-A是否显著区别于Zref- A具体为:

取对照试样A0的n个腐蚀深度数据,确定置信水平 p=1-α,α为检验水准,α≤10%,自由度v=n-1,查表得到临界值tα/v,计算对照试样A0的n个腐蚀深度数据的样本标准差SDA,则Zref- A的置信区间为(Zref- A-tα/v*SDA/,Zref- A+tα/v*SDA/),

若Ztst-A不在Zref- A的置信区间内,则Ztst-A显著区别于Zref- A

根据统计学t检验判断Ztst-B是否显著区别于Zref- B具体为:

取对照试样B0的n个腐蚀深度数据,确定置信水平 p=1-α,α为检验水准,α≤10%,自由度v=n-1,查表得到临界值tα/v,计算对照试样B0的n个腐蚀深度数据的样本标准差SDB,则Zref- B的置信区间为(Zref- B-tα/v*SDB/,Zref- B+tα/v*SDB/),

若Ztst-B不在Zref- B的置信区间内,则Ztst-B显著区别于Zref- B

若有Ztst-A显著区别于Zref-A且Ztst-B显著区别于Zref-B,则按下式计算材料A和材料B各自的电偶效应值,

电偶效应值β=(Ztst -Zref)/(Ztst +Zref

其中:Ztst、Zref分别为同种材料待测试样的平均腐蚀深度以及对照试样的平均腐蚀深度,单位均为μm。

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