[发明专利]一种高速低功耗比较电路、转换器和电子设备

权利要求书

1.一种高速低功耗比较电路，包括前置放大器和锁存器，其特征在于，

所述锁存器包括复位晶体管对、锁存输入晶体管对以及反相器对；

其中，所述复位晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管；

所述锁存输入晶体管对包括第三晶体管和第四晶体管；

所述反相器对包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；

且所述第一晶体管的源极连接电源，所述第一晶体管的栅极连接第一时钟信号，所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管和所述第五晶体管的漏极以及所述第六晶体管和所述第八晶体管的栅极；

所述第二晶体管的源极连接所述电源，所述第二晶体管的栅极连接所述第一时钟信号，所述第二晶体管的漏极连接所述第五晶体管和所述第七晶体管的栅极以及所述第六晶体管和所述第四晶体管的漏极；

所述第三晶体管的源极连接所述第七晶体管的漏极，所述第三晶体管的栅极连接所述前置放大器的正相输出节点，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极；

所述第四晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极，所述第四晶体管的栅极连接所述前置放大器的反相输出节点，所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的漏极；

所述第五晶体管的源极连接所述电源，所述第五晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极，所述第五晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极；

所述第六晶体管源极连接所述电源，所述第六晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，所述第六晶体管的漏极连接所述第二晶体管的漏极；

所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极连接所述第二晶体管的漏极，所述第七晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极；

所述第八晶体管的源极接地，所述第八晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，所述第八晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极。

2.如权利要求1所述的高速低功耗比较电路，其特征在于，

所述锁存器中的第一晶体管，第二晶体管，第五晶体管和第六晶体管是PMOS管，第三晶体管，第四晶体管，第七晶体管和第八晶体管是NMOS管。

3.如权利要求1所述的高速低功耗比较电路，其特征在于，还包括，

所述锁存器的反相输出节点为所述第一晶体管、第五晶体管和第三晶体管的漏极以及第六晶体管和第八晶体管的栅极；

所述锁存器的正相输出节点为所述第二晶体管、所述第六晶体管和所述第四晶体管的漏极以及所述第五晶体管和所述第七晶体管的栅极。

4.如权利要求1所述的高速低功耗比较电路，其特征在于，

所述前置放大器包括第十二晶体管和第十三晶体管，以及第九晶体管，第十晶体管和第十一晶体管，其中，第十二晶体管和第十三晶体管是PMOS管，第九晶体管，第十晶体管和第十一晶体管是NMOS管；

其中，所述第十二晶体管的漏极和所述第十晶体管的漏极为所述前置放大器的正相输出节点，所述第十三晶体管的漏极和所述第十一晶体管的漏极为前置放大器的反相输出节点。

5.如权利要求4所述的高速低功耗比较电路，其特征在于，

所述第十二晶体管的源极连接所述电源，所述第十二晶体管的栅极连接第二时钟信号，所述第十二晶体管的漏极连接所述第十晶体管的漏极；

所述第十三晶体管的源极连接所述电源，所述第十三晶体管的栅极连接所述第二时钟信号，所述第十三晶体管的漏极连接所述第十一晶体管的漏极；

所述第十晶体管的源极连接所述第九晶体管的漏极和所述第十一晶体管的源极，所述第十晶体管的栅极连接所述前置放大器的正相输入节点，所述第十晶体管的漏极连接所述第十二晶体管的漏极；

所述第十一晶体管的源极连接所述第九晶体管的漏极和所述第十晶体管的源极，所述第十一晶体管的栅极连接所述前置放大器的反相输入节点，所述第十一晶体管的漏极连接所述第十三晶体管的漏极；

所述第九晶体管源极接地，所述第九晶体管的栅极连接所述第二时钟信号，所述第九晶体管的漏极连接所述第十晶体管和第十一晶体管的源极。