[发明专利]电平移位电路、功率器件和电器设备

权利要求书

1.一种电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路包括：

交叉耦合的晶体管对，所述晶体管对中的晶体管的源极连接于电压输入端；

一对钳位电路，所述一对钳位电路中每个钳位电路一一对应地将所述电压输入端和所述晶体管对中每个晶体管的栅极相连接，用于将所述晶体管的栅极电压钳位于设定电压，所述设定电压小于所述电压输入端提供的电压。

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，

所述钳位电路包括钳位器件，所述钳位器件的第一端连接所述电压输入端，所述钳位器件的第二端连接所述晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述钳位器件为场效应管；

所述钳位电路还包括恒压单元，所述恒压单元连接所述钳位器件的栅极。

4.根据权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于，所述恒压单元包括第一偏置单元和第二偏置单元，

所述第一偏置单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第二偏置单元包括第三晶体管、第四晶体管和电阻；

所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极均连接所述电压输入端，所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极相连接，所述第三晶体管的漏极连接所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的漏极；

所述第二晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接接地电压，所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极相连接，所述第四晶体管的源极连接于所述电阻的第一端，所述电阻的第二端连接接地电压，

其中，所述第四晶体管的宽长比为所述第二晶体管的宽长比的N倍，N为大于1的整数；

所述第三晶体管的漏极还连接所述钳位器件的栅极。

5.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，

所述钳位器件为齐纳管；

所述钳位电路包括限流单元，所述限流单元连接于所述钳位器件的第二端。

6.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，所述交叉耦合的晶体管对包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；

所述第一上拉晶体管的漏极连接于所述第二上拉晶体管的栅极和所述第一下拉晶体管的漏极，所述第一下拉晶体管的源极连接接地电压；

所述第二上拉晶体管的漏极连接于所述第一上拉晶体管的栅极和所述第二下拉晶体管的漏极，所述第二下拉晶体管的源极连接接地电压；

所述钳位电路包括第一钳位器件和第二钳位器件，所述第一钳位器件的第一端连接于所述电压输入端，所述第一钳位器件的第二端连接于所述第二上拉晶体管的漏极，所述第二钳位器件的第一端连接所述电压输入端，所述第二钳位器件的第二端连接所述第一上拉晶体管的漏极。

7.根据权利要求6所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还包括输出晶体管和第五晶体管；

所述输出晶体管的栅极连接于所述第一上拉晶体管的漏极，所述输出晶体管的源极连接于所述电压输入端，所述输出晶体管的漏极连接于所述第五晶体管的漏极，所述第五晶体管的源极连接接地电压。

8.根据权利要求7所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一钳位器件和所述第二钳位器件均为齐纳管，

所述钳位电路还包括第一限流单元和第二限流单元，所述第一限流单元的一端连接所述第二钳位器件的第二端和所述第一上拉晶体管的漏极，所述第一限流单元的另一端连接所述第一下拉晶体管的漏极，所述第二限流单元的一端连接所述第一钳位器件的第二端和所述第二上拉晶体管的漏极，所述第二限流单元的另一端连接所述第二下拉晶体管的漏极。

9.根据权利要求7所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还包括：

输入单元，连接于所述第一下拉晶体管的栅极；

反相器，所述反相器的一端连接于所述输入单元，所述反相器的另一端连接于所述第二下拉晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极。