[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

本申请公开了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，其中，一种有机电致发光器件，包括发光层以及设置在所述发光层两侧的空穴阻挡层、电子阻挡层，所述发光层为主体材料、辅助材料以及荧光客体材料按一定比例混合的共混物，其中，主体材料的激发态能级小于电子阻挡层的激发态能级并且小于空穴阻挡层的激发态能级；所述辅助材料的激发态能级小于主体材料的激发态能级并且大于所述荧光客体材料的激发态能级。本申请实施例提供的通过调整发光层材料体系的搭配，实现主体材料到TADF材料再到客体材料之间的有效能量传递，实现激子能量高效传递，从而大大提高有机电致发光器件的发光效率，并从中实现具有各种优异性能的有机电致发光器件。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED显示技术是继CRT、LCD显示的第三代显示技术，因其低能耗、宽视角、响应速度快、清晰度高、超薄、柔性和自发光特性等优点，在照明和显示等领域存在巨大的潜力，现已被广泛应用于手机、电脑、电视、车载、智能可穿戴设备等领域。

OLED器件结构主要包括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、阴极。其中发光层是整个器件的核心，该层对器件的整体性能影响最为明显，因此发光层本身材料体系的选取有着各种严格的规定。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，可以提高发光层的发光效率。

第一方面，本申请提供了一种有机电致发光器件，包括发光层以及设置在所述发光层两侧的空穴阻挡层、电子阻挡层，所述发光层为主体材料、辅助材料以及荧光客体材料按一定比例混合的共混物，其中，所述主体材料的激发态能级小于所述电子阻挡层的激发态能级并且小于所述空穴阻挡层的激发态能级；所述辅助材料的激发态能级小于所述主体材料的激发态能级并且大于所述荧光客体材料的激发态能级。

可选地，所述主体材料的S1能级所述辅助材料的S1能级所述荧光客体材料的S1能级，所述电子阻挡层的S1能级所述主体材料的S1能级，所述空穴阻挡层的S1能级所述主体材料的S1能级。

可选地，所述主体材料的T1能级所述辅助材料的T1能级所述荧光客体材料的T1能级，所述电子阻挡层的T1能级所述主体材料的T1能级，所述空穴阻挡层的T1能级所述主体材料的T1能级。

可选地，所述主体材料的发射光谱与所述辅助材料的吸收光谱重叠面积大于5％；所述辅助材料的发射光谱与所述荧光客体材料的吸收光谱重叠面积大于10％。

可选地，所述主体材料为n型材料，其电子迁移率大于10^-4，空穴迁移率小于10^-4。

可选地，所述主体材料选自mCBP，CBP，mCP，TCTA，DMQA，TPA中的一种或多种。

可选地，所述辅助材料为TADF，所述辅助材料的掺杂质量比小于50wt％。

可选地，所述辅助材料选自4CzIPN，4CzTPN中的一种或多种。

可选地，所述荧光客体材料在所述发光层中的掺杂质量比从所述空穴阻挡层的方向至所述电子阻挡层的方向呈现梯度上升分布。

可选地，所述荧光客体材料在所述发光层中靠近所述电子阻挡层界面的掺杂质量比为0.1wt％-0.5wt％。

可选地，所述荧光客体材料选自ADN、DPVBi中的一种或多种，所述荧光客体的掺杂比为0.1wt％～50wt％。

进一步地，还包括基板，所述基板上依次设置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、所述电子阻挡层、所述发光层、所述空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和第二电极。