[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括发光层以及设置在所述发光层两侧的空穴阻挡层、电子阻挡层，其特征在于，所述发光层为主体材料、辅助材料以及荧光客体材料按一定比例混合的共混物，其中，所述主体材料的激发态能级小于所述电子阻挡层的激发态能级并且小于所述空穴阻挡层的激发态能级；所述辅助材料的激发态能级小于所述主体材料的激发态能级并且大于所述荧光客体材料的激发态能级。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的S1能级所述辅助材料的S1能级所述荧光客体材料的S1能级，所述电子阻挡层的S1能级所述主体材料的S1能级，所述空穴阻挡层的S1能级所述主体材料的S1能级。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的T1能级所述辅助材料的T1能级所述荧光客体材料的T1能级，所述电子阻挡层的T1能级所述主体材料的T1能级，所述空穴阻挡层的T1能级所述主体材料的T1能级。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的发射光谱与所述辅助材料的吸收光谱重叠面积大于5％；所述辅助材料的发射光谱与所述荧光客体材料的吸收光谱重叠面积大于10％。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料为n型材料，其电子迁移率大于10^-4，空穴迁移率小于10^-4。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料选自mCBP，CBP，mCP，TCTA，DMQA，TPA中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述辅助材料为TADF，所述辅助材料的掺杂质量比小于50wt％。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述辅助材料选自4CzIPN，4CzTPN中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述荧光客体材料在所述发光层中的掺杂质量比从所述空穴阻挡层的方向至所述电子阻挡层的方向呈现梯度上升分布。

10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述荧光客体材料在所述发光层中靠近所述电子阻挡层界面的掺杂质量比为0.1wt％-0.5wt％。

11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述荧光客体材料选自ADN、DPVBi中的一种或多种，所述荧光客体的掺杂比为0.1wt％～50wt％。

12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括基板，所述基板上依次设置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、所述电子阻挡层、所述发光层、所述空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和第二电极。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任一所述的有机电致发光器件。

14.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-12任一所述的有机电致发光器件，包括：

提供基板；

在所述基板上依次形成第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；

在所述电子阻挡层上形成发光层，所述发光层为主体材料、辅助材料以及荧光客体材料按一定比例混合的共混物；

在所述发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和第二电极。