[发明专利]晶圆形变的调整方法及半导体结构

说明书

本申请实施例公开了一种晶圆形变的调整方法及半导体结构，该方法包括：确定晶圆的形变位置和形变程度；根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽；在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜；所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种晶圆形变的调整方法及半导体结构。

背景技术

晶圆是用于制作半导体器件单晶硅材料，是由圆柱形的单晶硅经过研磨、抛光以及切片等步骤后形成的硅晶圆片。晶圆是制作各种半导体产品的原材料以及基板。在半导体产品的制作过程中，可以在晶圆的表面进行包括光刻、离子注入、镀膜以及清洗等各种手法形成复杂的器件及电路结构。然而，在这些制造过程中产生的应力会造成晶圆的形变，进而造成产品失效、良率低等问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种晶圆形变的调整方法及半导体结构。

第一方面，本申请实施例提供的晶圆形变的调整方法，包括：

确定晶圆的形变位置和形变程度；

根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽；

在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜；所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁。

第二方面，本申请实施例提供的半导体结构，包括：

晶圆；

所述晶圆的背面具有至少一个沟槽；

所述至少一个沟槽的晶圆背面包括对晶圆的形变具有应力作用的应力膜；其中，所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁，用于调整所述晶圆的形变。

通过本申请实施例的技术方案，通过本申请实施例的方法，根据晶圆的形变位置和形变程度，在晶圆背面形成沟槽，并在沟槽内壁上覆盖应力膜，从而实现对晶圆的应力调整，进而改善晶圆的形变，提升产品性能，提高生产良率。

附图说明

图1为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法流程图；

图2为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中形成沟槽和应力膜的示意图；

图3为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中填充沟槽的示意图；

图4为本申请实施例的一种半导体结构的示意图；

图5为本申请实施例的在晶圆表面沉积薄膜时对晶圆的应力作用的原理图；

图6为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中在晶圆表面形成保护膜的原理示意图；

图7为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中在晶圆背面形成沟槽的原理示意图；

图8为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中在晶圆背面形成STO(钛酸锶)薄膜的原理示意图；

图9为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中在晶圆背面退火形成应力膜的原理示意图；

图10为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中去除保护膜的原理示意图；

图11为本申请实施例的一种晶圆形变的调整方法中STO薄膜作为应力膜的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。