[发明专利]晶圆形变的调整方法及半导体结构

权利要求书

1.一种晶圆形变的调整方法，其特征在于，所述方法包括：

确定晶圆的形变位置和形变程度；

根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽；

在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜；所述应力膜覆盖所述至少一个沟槽的内壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力膜的材料为结晶材料；所述在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面形成对所述晶圆的形变具有应力作用的应力膜，包括：

在具有所述至少一个沟槽的晶圆背面沉积所述应力膜的材料；

对所述应力膜的材料进行退火处理，结晶形成所述应力膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述应力膜的材料进行退火处理，结晶形成所述应力膜，包括：

根据所述形变程度，对所述应力膜的材料进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶圆背面具有多个形变位置；所述根据所述形变程度，对所述应力膜的材料进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜，包括：

根据不同的所述形变位置的所述形变程度，分别对不同形变位置覆盖的所述应力膜的材料进行不同温度的退火处理，结晶形成所述应力膜。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述形变程度，对所述应力膜的材料进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜，包括：

在覆盖有所述应力膜的材料的晶圆背面沉积非晶硅薄膜，填充所述至少一个沟槽；

根据所述形变程度，对所述晶圆背面进行相应温度的退火处理，结晶形成所述应力膜。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述形变位置和形变程度，在晶圆背面形成至少一个沟槽，包括：

根据所述形变位置，在所述晶圆背面确定形成所述至少一个沟槽的调整区域；

根据所述形变程度，在所述调整区域内形成相应深度的至少一个沟槽。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述形变程度，在所述调整区域内形成相应深度的至少一个沟槽，包括：

根据所述形变程度，在所述调整区域内通过刻蚀形成所述相应深度的至少一个沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述形变程度，在所述调整区域内形成相应深度的至少一个沟槽，包括：

在所述调整区域的表面形成带有刻蚀图形的掩膜层；

所述根据所述形变程度，在所述调整区域内通过刻蚀在所述掩膜层未遮挡的位置形成所述相应深度的至少一个沟槽；

去除所述掩膜层。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，晶圆正面和所述晶圆正面至晶圆内部的第一厚度内形成有半导体器件；所述至少一个沟槽的深度小于所述晶圆的厚度与所述第一厚度之差。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽中包括形状、深度或宽度不同的至少两个沟槽。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圆背面形成至少一个沟槽之前，所述方法还包括：

在所述晶圆正面的半导体器件表面形成保护膜；

翻转所述晶圆，使所述晶圆背面朝向竖直上方。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述晶圆背面形成所述应力膜之后，所述方法还包括：

翻转所述晶圆，使所述晶圆正面朝向竖直上方；

去除所述晶圆正面的保护膜。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定晶圆的形变位置和形变程度，包括：

在所述晶圆背面进行形变检测，确定所述形变位置和所述形变程度。