[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110817894.3 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN114078838A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 苏子昂;李明轩;吴杼桦;叶致锴;王智弘;谢文兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/8249;G01K7/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包含：
一介电层；以及
一鳍片状结构，设置在该介电层上，该鳍片状结构包含：
一第一p型掺杂区、一第二p型掺杂区以及一第三p型掺杂区；以及
一第一n型掺杂区、一第二n型掺杂区以及一第三n型掺杂区，交错插在该第一p型掺杂区、该第二p型掺杂区以及该第三p型掺杂区之间；
其中该第一p型掺杂区、该第三p型掺杂区以及该第三n型掺杂区电性耦接至一第一电位；
其中该第二p型掺杂区、该第一n型掺杂区以及该第二n型掺杂区电性耦接至与该第一电位不同的一第二电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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