[发明专利]一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁装置、系统以及方法在审
| 申请号: | 202110815402.7 | 申请日: | 2021-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN113539904A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 王超玮 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B1/00;B08B1/04;B08B3/02 |
| 代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 归莹;沈寒酉 |
| 地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双面 研磨 下定 沟槽 清洁 装置 系统 以及 方法 | ||
本发明实施例公开了一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁装置、系统以及方法,所述清洁装置包括:设置为一排分布的多个毛刷,所述多个毛刷能够沿设定的方向移动以清洁下定盘上横向或纵向分布的沟槽内的颗粒物;其中,每个所述毛刷由毛刷柄和毛刷头组成;多个高压喷水管,所述每个高压喷水管对应地设置在所述每个毛刷移动方向的正后方,以在所述多个毛刷清洁所述颗粒物的过程中,通过喷射高压纯水来冲洗所述沟槽内的颗粒物。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁装置、系统以及方法。
背景技术
在硅片加工过程中,为了去除线切割后硅片表面存在的线痕以及机械损伤层,会对硅片实施双面磨削工序,在该工序中含有高硬度研磨剂(如氧化硅、氧化铝)的研磨浆料与夹在上定盘和下定盘之间的硅片表面接触,之后上定盘和下定盘以一定的压力和转速对硅片进行减薄磨削;双面磨削的过程中会产生大量的硅渣和研磨浆料残渣等副产物,这些副产物会从下定盘的沟槽中排出,但是经过多次加工后,沟槽中会积累大量的固体副产物以导致沟槽内排泄不通,并且定盘间滞留的硅渣和研磨浆料残渣会在双面磨削过程中划伤硅片的表面,进而导致硅片的品质下降,因此需要对下定盘的沟槽定期进行清洁。目前的主要清洁方式是通过薄刀片对沟槽进行清理,然后用水枪对下定盘进行冲洗。但是,现有的这种清洁方式不仅耗费大量的人力和时间,清洁效率不高,并且在清洁过程中薄刀片还可能会对下定盘造成损伤。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例期望提供一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁装置、系统以及方法;能够提高下定盘沟槽的清洁效率,并同时能够彻底去除沟槽内的颗粒物以保证硅片在双面研磨过程中的品质。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁装置,所述清洁装置包括:
设置为一排分布的多个毛刷,所述多个毛刷能够沿设定的方向移动以清洁下定盘上横向或纵向分布的沟槽内的颗粒物;其中,每个所述毛刷由毛刷柄和毛刷头组成;
多个高压喷水管,所述每个高压喷水管对应地设置在所述每个毛刷移动方向的正后方,以在所述多个毛刷清洁所述颗粒物的过程中,通过喷射高压纯水来冲洗所述沟槽内的颗粒物。
第二方面,本发明实施例提供了一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁系统,所述清洁系统包括:
驱动机构,所述驱动机构用于控制所述清洁装置沿设定的方向以一定的速度移动,以清洁下定盘上横向或纵向分布的沟槽内的颗粒物;
旋转机构,所述旋转机构用于控制所述清洁装置能够绕所述旋转机构的中心轴线顺时针依次旋转90°,以完成所有所述设定方向的所述沟槽的清洁工作。
第三方面,本发明实施例提供了一种双面研磨中下定盘沟槽的清洁方法,所述清洁方法能够应用于第二方面所述的清洁系统中,所述清洁方法包括:
通过驱动机构驱动清洁装置沿设定的方向以一定的速度移动,以清洁下定盘上横向或纵向分布的沟槽内的颗粒物;
当所述清洁装置完成一个所述设定方向的清洁工作后,通过旋转机构控制所述清洁装置绕所述旋转机构的中心轴线顺时针依次旋转90°,以使得清洁装置旋转至下一个所述设定的方向并开始对所述沟槽进行清洁;
当所述清洁装置沿所有所述设定的方向完成所述沟槽的清洁工作后,通过旋转机构控制所述清洁装置旋转至所述清洁装置的原始位置处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





