[发明专利]一种集成多器件的封装方法及封装结构

说明书

本发明提供一种集成多器件的封装方法及封装结构，包括：提供基板，在基板上形成第一电连接结构；在基板上形成介质层，在介质层上分别形成第二电连接结构和第三电连接结构，介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫；在第一微器件上形成第二焊垫；在第二微器件上形成第三焊垫；将第一微器件和第二微器件分别粘接在介质层上，使第二焊垫和第三焊垫分别与第一焊垫相对，且第二焊垫和第三焊垫分别与第一焊垫之间形成空隙；采用电镀工艺在空隙中形成导电凸块，第一焊垫与第二焊垫和第三焊垫之间通过导电凸块电连接。通过电镀工艺在微器件与介质层之间形成导电凸块，从而实现将不同的微器件与基板进行电连接，解决了良率低的问题，提高集成度。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种集成多器件的封装方法及封装结构。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(BallGridArray，BGA)、芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)、晶圆级封装(WaferLevelPackage，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(System in Package，SiP)等。

目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用晶圆级系统封装，与传统的系统封装相比，晶圆级系统封装是在晶圆上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。

Interposer中的Silicon Interposer是用硅片做的类似电路板的器件，但其线宽、节点间距等都比电路板小。不同功能的芯片，比如CPU、DRAM等可以连到同一siliconinterposer上面，通过Silicon Interposer完成很多运算和数据交流，这样做比较省电，增加带宽。类似于PCB，Silicon Interposer一般都有灌铜的通孔(硅通孔)，不同芯片之间联合运算的结果，通过硅通孔传到与之连接的package substrate上，package substrate连接电路板。所以Silicon Interposer和package substrate相当于连接多个芯片和同一电路板之间的桥梁。Silicon Interposer的硅通孔制作，传统工艺复杂，硅孔的直径受到限制，通常控制在30微米以内；如果将硅孔做得比较大，硅孔内填充的金属在后期使用时受热膨胀，导致硅孔或绝缘层破裂。因此，只能将硅孔做得较小；但小硅孔内的绝缘物质沉积、阻挡层/种子层沉积、以及填充金属又会变得很困难，因此，工艺控制比较难，良率也比较低，另外电路板上纵向堆叠多层结构，不利于封装的小型化。

因此，期待一种新的一种集成多器件的封装结构及封装方法，可以提高良率，满足小型化的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成多器件的封装方法及封装结构，提高良率，满足小型化。

为了实现上述目的，本发明提供一种集成多器件的封装方法，包括：

提供基板，在所述基板上形成第一电连接结构；

在所述基板上形成介质层，在所述介质层上分别形成第二电连接结构和第三电连接结构；所述第二电连接结构和所述第三电连接结构分别与所述第一电连接结构电连接，所述介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫，所述第一焊垫分别与所述第二电连接结构和所述第三电连接结构电连；

提供第一微器件，在所述第一微器件上形成第二焊垫；

提供第二微器件，在所述第二微器件上形成第三焊垫；

将所述第一微器件和所述第二微器件分别粘接在所述介质层上，使所述第二焊垫和第三焊垫分别与所述第一焊垫相对，且所述第二焊垫和所述第三焊垫分别与所述第一焊垫之间形成空隙；