[发明专利]一种系统级封装方法及封装结构在审
申请号: | 202110808974.2 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113539859A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 蔺光磊 | 申请(专利权)人: | 芯知微(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 201600 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 系统 封装 方法 结构 | ||
1.一种系统级封装方法,其特征在于,包括:
提供PCB板,所述PCB板具有正面和背面,所述正面形成有多个裸露的第一焊垫;
提供第一芯片,所述第一芯片具有相对的第一表面和第二表面,与所述PCB板相对的为第一表面,所述第一表面形成有多个裸露的第二焊垫;
将所述第一芯片与所述PCB板通过干膜连接,所述第一焊垫与所述第二焊垫相对围成空隙;
通过电镀工艺在所述空隙内形成导电凸块以电连接所述第一焊垫和第二焊垫。
2.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述干膜覆盖所述导电凸块外围的区域。
3.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述干膜的厚度为60-160μm。
4.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述干膜包括液态干膜或膜状干膜。
5.根据权利要求4所述的系统级封装方法,其特征在于,所述干膜的形成方法包括:
所述PCB板与所述第一芯片键合之前,在所述PCB板上形成干膜;
或者,
所述PCB板与所述第一芯片键合之前,在所述第一芯片上形成干膜。
6.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述第一芯片含有第二空腔或未含有第二空腔。
7.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述第一芯片为多个,多个第一芯片为同功能芯片;或者,所述多个第一芯片至少包括两种不同功能的芯片。
8.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述第一芯片包括MEMS芯片、滤波器芯片、逻辑芯片、存储芯片、电容、电感中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,形成所述导电凸块后,还包括:形成塑封层,覆盖所述PCB板及所述第一芯片。
10.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述PCB板包括:
至少一基板,在所述基板内形成有导电插塞,所述第一焊垫位于顶层的所述导电插塞上且与相应的所述导电插塞电连接。
11.根据权利要求10所述的系统级封装方法,其特征在于,在底层的所述导电插塞上还形成有第三焊垫,所述第三焊垫与相应的所述导电插塞电连接。
12.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述第一焊垫、第二焊垫的材料包括:铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。
13.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述导电凸块的材料包括:铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。
14.根据权利要求1-13任一项所述的系统级封装方法,其特征在于,所述电镀工艺包括化学镀。
15.一种系统级封装结构,其特征在于,包括:
PCB板,所述PCB板具有正面和背面,所述正面具有多个裸露的第一焊垫;
第一芯片,所述第一芯片具有相对的第一表面和第二表面,与所述PCB板相对的为第一表面,所述第一表面具有多个裸露的第二焊垫;所述第一芯片通过干膜键合在所述PCB板上;
导电凸块,通过电镀工艺形成于所述第一焊垫与所述第二焊垫之间并与所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接。
16.根据权利要求15所述的系统级封装结构,其特征在于,所述干膜避开焊垫设置并覆盖所述导电凸块外围的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造