[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件

说明书

本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。

技术领域

本申请涉及光伏电池制备技术领域，尤其涉及异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件。

背景技术

随着光伏行业的飞速发展，对于新型产品的需求不断增加，为了适应光伏市场多元化发展，在市场需求的功率和电压不能兼顾的时候，须对太阳能电池片进行切割形成半片电池。半片电池技术一般都是采用激光切割法，沿着垂直于电池主栅线的方向将标准规格电池片切成相同的两个半电池片，再进行焊接串联、并联构成组件。

异质结电池(HeteroJunction with intrinsic Thinfilm，简称HJT)在激光切割过程中，会在电池片的切割边缘形成激光损伤区和机械断裂区，导致电池片中硅原子无法保持原本的有序排列状态，形成悬挂键，降低电池效率，使得半片电池组件的外部输出功率有所折损；在激光切割裂片后，产生的透明导电氧化物膜层(Transparent ConductiveOxide，简称TCO，以下中文简称透明导电膜层)碎屑会使背面透明导电膜层与正面透明导电膜层或者背面PN结之间产生导电通道，造成切片异质结电池效率的大幅度下降。

为解决此问题，一种方式是对异质结电池使用紫外激光先切割一次，在异质结电池形成一定深度的损伤，同时利用裂片的方式完成切片异质结电池的制备，由于紫外激光切割深度较浅，还需要使用较长波长的光再进行多次切割，对异质结电池形成多次损伤，而且在裂片后，背面透明导电膜层碎片仍然会与背面PN结导通。

因此，如何保持切割后的异质结电池的效率，或减小因切割造成的异质结电池的效率降低，成为目前异质结电池领域亟待解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本申请提供异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，至少部分解决现有技术中存在的问题。

本发明提供了一种异质结电池处理方法，包括以下步骤：

对所述异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；

对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；

对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述等离子刻蚀处理的刻蚀气体包括四氟化碳气体、六氟化硫或氯气中的至少一种，以及氧气。

根据本申请实施例的一种具体实现方式所述等离子刻蚀处理的条件为：四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量范围为100sccm-200sccm，氧气的流量范围为50sccm-100sccm；

优选的是，四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量为150sccm，氧气的流量为100sccm。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述等离子刻蚀处理还包括不活泼气体，所述不活泼气体为氮气、氦气、氩气、氖气中的至少其中一种。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述不活泼气体的流量范围为200sccm-400sccm；

优选的是，所述不活泼气体的流量为400sccm。

优选的是，所述等离子刻蚀处理的条件为：辉光功率为800W，压力为200Pa。