[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件

权利要求书

1.一种异质结电池处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

对所述异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；

对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；

对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理的刻蚀气体包括四氟化碳气体、六氟化硫或氯气中的至少一种，以及氧气。

3.根据权利要求2所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理的条件为：四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量范围为100sccm-200sccm，氧气的流量范围为50sccm-100sccm；

优选的是，四氟化碳气体、六氟化硫或氯气的流量为150sccm，氧气的流量为100sccm。

4.根据权利要求2所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理还包括不活泼气体，所述不活泼气体为氮气、氦气、氩气、氖气中的至少其中一种。

5.根据权利要求4所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述不活泼气体的流量范围为200sccm-400sccm；

优选的是，所述不活泼气体的流量为400sccm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理的条件为：辉光功率范围为500W-1000W，压力范围为100Pa-200Pa；

优选的是，所述等离子刻蚀处理的条件为：辉光功率为800W，压力为200Pa。

7.根据权利要求1-5任一项所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述氧化处理为将所述切片异质结电池置于含氧氛围环境中，所述含氧氛围包括氧气，所述含氧氛围的条件为：温度范围为100℃-200℃，时间范围为10min-30min，氧气流量为1000sccm-2000sccm；

优选的是，所述含氧氛围的条件为：温度为200℃，时间为10min-30min，流量2000sccm。

8.根据权利要求7所述的异质结电池处理方法，其特征在于，所述氧化处理还包括，将经所述含氧氛围环境处理后的所述切片异质结电池置于氧化氛围环境中，所述氧化氛围环境包括、二氧化碳、氢气，所述氧化氛围的条件为：温度范围为100℃-200℃，硅烷流量范围为1000-2000sccm，二氧化碳流量范围为100-1000sccm，氢气流量范围为4000-5000sccm，时间范围为10min-30min；

优选的是，所述氧化氛围的条件为：温度为150℃，四氢化硅流量为1800sccm，二氧化碳流量为200sccm，氢气流量为4400sccm，时间为20min。

9.一种切片异质结电池，由异质结电池切割得到，其特征在于，所述切片异质结电池的切割面设置有氧化硅薄膜。

10.一种异质结电池组件，其特征在于，包括权利要求9所述的切片异质结电池。