[发明专利]一种亚阈值带隙基准电压源电路有效
| 申请号: | 202110807818.4 | 申请日: | 2021-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN113377147B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 郑慧臻;王科平 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阈值 基准 电压 电路 | ||
1.亚阈值带隙基准电压源电路,其特征在于,包括:
电流镜,由第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5组成;第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5的源极接电压VDD;
偏置电流产生电路,由运算放大器OPA、第一电阻R1、第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2连接组成;第一电阻R1一端连接到运算放大器OPA的正向输入端和第一PMOS晶体管M3的漏极,另一端接地;第一NMOS晶体管M1源极连接到地,漏极连接到运算放大器OPA的反向输入端和第二NMOS晶体管M2的源极,栅极连接到第二NMOS晶体管M2的栅极和漏极;第二NMOS晶体管M2的栅极与漏极相连,源极连接到运算放大器OPA的反向输入端和第一NMOS晶体管M1的漏极,漏极连接到第二PMOS晶体管M4的漏极;
产生输出基准电压的支路,包括第二电阻R2和pnp双极型晶体管Q1,第二电阻R2的一端连接到第三PMOS晶体管M5的漏极,另一端连接到pnp双极型晶体管Q1的发射极,pnp双极型晶体管Q1的基极和集电极接地;第三PMOS晶体管M5的漏极接输出基准压电压Vref,并与电容Cout的一端相接,电容Cout另一端接地;
运算放大器OPA的输出端通过节点C连接电容CC、第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5的栅极,电容CC另一端连接到电压VDD,所述节点C与启动电路连接;
电容CC和Cout分别为补偿电容和输出电容,用来改善电路的电源抑制比。
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