[发明专利]一种亚阈值带隙基准电压源电路有效

专利信息
申请号: 202110807818.4 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113377147B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 郑慧臻;王科平 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 韩新城
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 阈值 基准 电压 电路
【权利要求书】:

1.亚阈值带隙基准电压源电路,其特征在于,包括:

电流镜,由第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5组成;第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5的源极接电压VDD;

偏置电流产生电路,由运算放大器OPA、第一电阻R1、第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2连接组成;第一电阻R1一端连接到运算放大器OPA的正向输入端和第一PMOS晶体管M3的漏极,另一端接地;第一NMOS晶体管M1源极连接到地,漏极连接到运算放大器OPA的反向输入端和第二NMOS晶体管M2的源极,栅极连接到第二NMOS晶体管M2的栅极和漏极;第二NMOS晶体管M2的栅极与漏极相连,源极连接到运算放大器OPA的反向输入端和第一NMOS晶体管M1的漏极,漏极连接到第二PMOS晶体管M4的漏极;

产生输出基准电压的支路,包括第二电阻R2和pnp双极型晶体管Q1,第二电阻R2的一端连接到第三PMOS晶体管M5的漏极,另一端连接到pnp双极型晶体管Q1的发射极,pnp双极型晶体管Q1的基极和集电极接地;第三PMOS晶体管M5的漏极接输出基准压电压Vref,并与电容Cout的一端相接,电容Cout另一端接地;

运算放大器OPA的输出端通过节点C连接电容CC、第一PMOS晶体管M3、第二PMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5的栅极,电容CC另一端连接到电压VDD,所述节点C与启动电路连接;

电容CC和Cout分别为补偿电容和输出电容,用来改善电路的电源抑制比。

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